氮化物半导体基板制造技术

本发明专利技术涉及一种氮化物半导体基板（1），其具有GaN系半导体层（6）和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层（7），其中，GaN系半导体层（6）是在基底层（4）上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层（6）呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面（62）的层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氮化物半导体基板。
技术介绍
近年来，使用氮化物半 导体(GaN、AlGaN、InAlGaN系)的发光二极管(LED)以及半导体激光器(LD)等被广泛使用。然而，为了谋求发光波长的短波长化，有必要在包层中使用与活性层的带间隙差较大的AlN摩尔分数较高的AlGaN等。此外，在LD的情况下，为了进行光的约束，需要AlN摩尔分数更高且厚度更大的包层。然而，在用于形成这样的器件的氮化物半导体基板上，AlN摩尔分数较高的AlGaN的晶格间距较小，与晶格间距相对较大的GaN相比，晶格间距的差异变大。为此，若在平坦的GaN层上直接使AlGaN层结晶生长，则由于AlGaN层与GaN层的晶格不匹配，使得在AlGaN层内产生拉伸应力，当超过某ー临界膜厚时，则产生裂纹。此外，由于作为基底层的GaN层的晶格缺陷较多，因此也会产生诸如在GaN层上结晶生长的AlGaN层中产生较多结晶缺陷(位错)的问题。为了解决上述问题，开发了如图23及图24所示的专利文献I所记载的技木。图23为氮化物半导体基板I'的平面图，图24为图23所示的氮化物半导体基板I'的XXIV-XXIV箭头方向上的截面图。氮化物半本文档来自技高网...

【技术保护点】
氮化物半导体基板，其特征在于，具有：GaN系半导体层，该GaN系半导体层在基底层上生长，沿厚度方向的截面基本上为三角形状，且所述GaN系半导体层呈周期性的条纹状，在该条纹的斜面上设置有凹凸面；以及在所述GaN系半导体层上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉田治正，高木康文，桑原正和，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：