渐变半径光子晶体发光二极管制备方法技术

一种渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法，包括：取一氮化镓基发光二极管外延片；在外延片的P型GaN接触层上生长ITO层；在ITO层上淀积一层SiO2层，在SiO2层上制作掩膜板图形；根据掩膜板图形腐蚀去掉外延片一侧的部分SiO2层、P型GaN接触层、有源层和N型GaN接触层，腐蚀深度至N型GaN接触层内；在ITO层上向下刻蚀制作第一层光子晶体结构；在第一层光子晶体结构的基础上向下刻蚀制作与第一层光子晶体结构晶格常数相同的第二层光子晶体结构；在GaN接触层一侧形成的台面上制作N电极；在ITO层上第一层光子晶体结构的一侧制作P电极，完成器件的制作。本发明专利技术增加了发光二极管的光提取效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种可以提高光提取效率的。
技术介绍
GaN基发光二极管具有寿命长、亮度高、体积小、节能、抗震动冲击等优点，它是制造白光发光二极管的核心部分，在指示灯、景观照明显示屏、背光照明特别是照明光源上有广泛的应用前景，最近国家发改委发布了关于禁止销售和出口白炽灯的报告，很多部门和地方政府开始大力推广发光二极管照明，其中2012年国务院安排22亿元支持推广节能灯和发光二极管灯。然而，发光二极管与外界空气界面处全内反射使得发光二极管的外量子效率 很低，大部分有源区发出的光被限制在发光二极管内部，较低的光提取效率极大制约了发光二极管的发展。因此，提高发光二极管的光提取效率对于发光二极管的发展和推广是刻不容缓的。之前关于在发光二极管表面刻蚀合适结构的光子晶体的研究，集中在使发光二极管发光落在泄漏模区域，减小发光二极管表面对光的反射，可以提高发光二极管的光提取效率。Jong Kyu Kim 等在其文章[Light-Extraction Enhancementof GaInNLight-Emitting Diodes by Graded-Refractive-I本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一氮化镓基发光二极管外延片，该外延片包括在衬底基片上依次生长的GaN缓冲层、N型GaN接触层、有源层和P型GaN接触层；步骤2：在外延片的P型GaN接触层上生长ITO层；步骤3：在ITO层上淀积一层SiO2层，在SiO2层上制作掩膜板图形；步骤4：根据掩膜板图形腐蚀去掉外延片一侧的部分SiO2层、P型GaN接触层、有源层和N型GaN接触层，腐蚀深度至N型GaN接触层内，使暴露的N型GaN接触层的一侧形成台面；步骤5：在ITO层上向下刻蚀制作第一层光子晶体结构；步骤6：在第一层光子晶体结构的基础上向下刻蚀制作与第一层光子晶体结构晶...

【技术特征摘要】
1.一种渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法，包括以下步骤 步骤I :取一氮化镓基发光二极管外延片，该外延片包括在衬底基片上依次生长的GaN缓冲层、N型GaN接触层、有源层和P型GaN接触层； 步骤2 :在外延片的P型GaN接触层上生长ITO层； 步骤3 :在ITO层上淀积一层SiO2层，在SiO2层上制作掩膜板图形； 步骤4 :根据掩膜板图形腐蚀去掉外延片一侧的部分SiO2层、P型GaN接触层、有源层和N型GaN接触层，腐蚀深度至N型GaN接触层内，使暴露的N型GaN接触层的一侧形成台面； 步骤5 :在ITO层上向下刻蚀制作第一层光子晶体结构； 步骤6 :在第一层光子晶体结构的基础上向下刻蚀制作与第一层光子晶体结构晶格常数相同的第二层光子晶体结构； 步骤7 :在GaN接触层一侧形成的台面上制作N电极； 步骤8 :在ITO层上第一层光子晶体结构的一侧制作P电极，完成器件的制作。2.根据权利要求I所述的渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法，其中外延片中的衬底基片的材料为蓝宝石、硅、ZnO或SiC。3.根据权利要求I所述的渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法，其中ITO层的厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：许兴胜，王华勇，高永浩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：