制造半导体发光器件的方法技术

本发明专利技术提供一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：准备衬底，其包括彼此相对的第一及第二主表面；在衬底的第一主表面中形成多个突起部；在其上形成有多个突起部的第一主表面上形成发光叠层，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；通过移除形成在对应于围绕多个突起部的沟槽部的区域中的发光叠层部分形成多个发光结构；以及沿着沟槽部分离衬底。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造半导体发光器件的方法。
技术介绍
通常，发光二极管(LED)通过使用化合物半导体的特性将电信号转换成红外光、可见光或紫外光。LED是一种电致发光(EL)器件。一种使用III-V族化合物半导体的LED被普遍商用。III族氮化物基化合物半导体是直接跃迁半导体，相对于其它半导体而言能够实现高温下的稳定运行，因而III族氮化物基化合物半导体被广泛应用于发光器件，如LED或激光二极管(LD)。构成发光器件的各单个芯片可以通过在单一晶片上生长半导体层以及经由切割工艺将晶片分成多个芯片单元实现。在这点上，基于分离工艺的芯片单元可以使用采用切·削头(cutting tip)或刀片的划片工艺、裂片工艺、使用激光器的划片工艺等等。使用激光器的划片工艺可以比现有的操作提高操作速度，这可以带来提高生产率的效果，然而芯片(电极或有源层)被损伤，这使得半导体发光器件的特性退化。在隐形激光(stealthlaser)用在划片工艺中的情况下,改性层(modified layer)会阻止外部光提取。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供一种通过简单工艺制造具有增强光提取效率的半导体发光器件的方法。本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：准备衬底，该衬底包括彼此相对的第一主表面及第二主表面；在衬底的第一主表面中形成多个突起部；在其上形成有多个突起部的第一主表面上形成发光叠层，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；通过移除发光叠层的形成在对应于围绕多个突起部的沟槽部的区域中的部分，形成多个发光结构；以及沿着沟槽部分离衬底，从而从形成在衬底上的多个发光结构获得独立的半导体发光器件。

【技术特征摘要】
2011.07.25 KR 10-2011-00735301.一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括 准备衬底，该衬底包括彼此相对的第一主表面及第二主表面； 在衬底的第一主表面中形成多个突起部； 在其上形成有多个突起部的第一主表面上形成发光叠层，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层； 通过移除发光叠层的形成在对应于围绕多个突起部的沟槽部的区域中的部分，形成多个发光结构；以及 沿着沟槽部分离衬底，从而从形成在衬底上的多个发光结构获得独立的半导体发光器件。2.如权利要求I所述的方法，其中沟槽部在移除发光叠层的形成在对应于围绕多个突起部的沟槽部的区域中的部分时暴露于外。3.如权利要求I所述的方法，其中，在形成发光叠层时，至少部分沟槽部保持为空。4.如权利要求I所述的方法，其中沟槽部具有10微米到50微米的宽度。5.如权利要求I所述的方法,还包括使用填充材料填充至少部分沟槽部。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金起范，许元九，崔丞佑，李承宰，李时赫，金台勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：