一种具有金字塔阵列结构的LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有金字塔阵列结构的LED芯片。一种具有金字塔阵列结构的LED芯片包括具有外延层的透明衬底、所述透明衬底顶部表面为金字塔阵列结构，透明衬底的底部为外延层，外延层的底部为芯片电极的正、负极，所述金字塔阵列结构由“V”字形沟槽阵列相互交错构成。本实用新型专利技术的芯片具有较大的比表面积，可大大增加汽化核心，有利于蒸发沸腾的过程中的汽化过程，使其具有优良的沸腾强化换热能力，其加工效率大大增高，加工工艺简单，成本低廉。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本实用 新型涉及LED芯片领域，特别涉及ー种具有金字塔阵列结构的LED芯片。
技术介绍
当前，发光二极管(LED)因具有体积小、发光效率高，可靠性高，寿命长等优点已在照明等领域中获得了广泛应用。传统的LED芯片结构会使芯片的出光效率降低，能量损失加大，导致器件内积聚大量的热量，加速器件老化缩短器件的使用寿命。此外，传统垂直式或水平式芯片结构采用银浆或胶浆固晶，需另外用金相将电极引出，生产效率的，质量不稳定。为此，国内外研发人员采用共晶エ艺得倒装芯片エ艺去提高发光二极管的出光效率，减少能量损失。但是芯片的表面強化出光结构单一，导致LED芯片出光效率还是不高。表面強化出光结构在LED芯片强化出光方面的应用十分重要，但是目前实现的手段相对单一，微结构的加工主要依赖于光化学等腐蚀加工技术，却有受加工材料限制、加工效率低、环境污染、成本较高等问题。例如，热平版印刷术用于LCD、LED导光板的微结构加工，加工尺度可以达到数十纳米，但加工对象的选择具有局限性。激光束加工可以加工出深宽比较大的空间微结构，但无法加工发光或透明的材料，形状精度控制较困难。此外，利用AFM原子力技术可以在单晶硅表面上沿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有金字塔阵列结构的LED芯片，其特征在于，包括具有外延层的透明衬底、所述透明衬底顶部表面为金字塔阵列结构，透明衬底的底部为外延层，外延层的底部为芯片电极的正、负极，所述金字塔阵列结构由“V”字形沟槽阵列相互交错构成。

【技术特征摘要】
1.ー种具有金字塔阵列结构的LED芯片，其特征在于，包括具有外延层的透明衬底、所述透明衬底顶部表面为金字塔阵列结构，透明衬底的底部为外延层，外延层的底部为芯片电极的正、负极，所述金字塔阵列结构由“ V”字形沟槽阵列相互交错构成。2.根据权利要求I所述的ー种具有金字塔阵列结构的LED芯片，其特征在于，所述“V”字形沟槽的两边夹角为60° -100°，...

【专利技术属性】
技术研发人员：卜莉敏，李庆，汤勇，丁鑫锐，李宗涛，朱本明，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：实用新型
国别省市：