一种GaN基发光二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种GaN基发光二极管。所述发光二极管包括衬底1、N型半导体层2、发光层3、P型半导体层4及透明电极层5，按上述顺序由下往上叠加，所述衬底1是蓝宝石、碳化硅或硅；所述N型半导体层2及P型半导体层4是GaN材料；所述透明电极层5是金属材料或氧化物材料，金属材料为：Pd，Au或NiAu；氧化物材料为SiO2、ZnO、NiO、MgO、In2O3、TiO2或ITO(In2O3-SnO2)；在透明电极层5上均匀通过干法刻蚀发分散一层SiO2纳米球材料。本实用新型专利技术光提取效率高，并且制备方法简单，工艺过程易控制，适合量产，对生长设备和工艺条件无特殊要求。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种二极管，特别是涉及一种GaN基发光二极管技术背景当前，在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下，节约能源、减少温室气体排放成为全球共同面对的重要问题。以低能耗、低污染、低排放为基础的低碳经济，将成为经济发展的重要方向。在照明领域，以LED(发光二极管)为代表的半导体发光产品，具有节能、环保，以及光源寿命长、体积小等优点，正吸引着世人的目光。对于GaN基LED来说，GaN为2. 5与空气的折射系数相差很大，全反射角为24. 5度左右。发光区产生的光在出光面大部分被反射回来，光线的多次反射，由于材料的吸收及非出光面逸光作用，正面出光的比例非常小，只占4%。即使采用图形衬底结构，出光比例也只 有12%左右。人们采用了多种出光技术改善正面出光，其中出光面粗化技术是其中很重要的一类。一种可行方法是采用粗化透明电极层的办法。目前已经报道的类似工艺有采用单层镍纳米粒子作为掩膜刻蚀透明电极层(CN101702419A)，采用ZnO纳米球作为掩膜沉积在透明电极层同时刻蚀ZnO和透明电极层形成粗化出光面(CN101740702A)。这些方法存在掩膜材料不易获得没有实现商业化和工艺后处理比较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN基发光二极管，其特征在于所述的GaN基发光二极管包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及透明电极层，按上述顺序由下往上叠加，衬底是蓝宝石、碳化硅或硅，N型半导体层及P型半导体层是GaN材料，透明电极层是金属材料或氧化物材料，金属材料为：Pd，Au或NiAu；氧化物材料为SiO2、ZnO、NiO、MgO、In2O3、TiO2或ITO(In2O3？SnO2)，在透明电极层上均匀分散一层SiO2纳米球材料。

【技术特征摘要】
1.一种GaN基发光二极管,其特征在于所述的GaN基发光二极管包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及透明电极层，按上述顺序由下往上叠加，衬底是蓝宝石、碳化硅或硅，N型半导体层及P型半导体层是GaN材料，透明电极层是金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝锐，马学进，吴质朴，
申请(专利权)人：江门市奥伦德光电有限公司，
类型：实用新型
国别省市：