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本实用新型涉及一种GaN基发光二极管。所述发光二极管包括衬底1、N型半导体层2、发光层3、P型半导体层4及透明电极层5，按上述顺序由下往上叠加，所述衬底1是蓝宝石、碳化硅或硅；所述N型半导体层2及P型半导体层4是GaN材料；所述透明电极层5...
该专利属于江门市奥伦德光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江门市奥伦德光电有限公司授权不得商用。

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