通过图形遮光的四元系芯片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种通过图形遮光的四元系芯片及其制造方法，属于led芯片制造技术领域，通过图形遮光的四元系芯片，包括GaAs基板，GaAs基板的一面设有磊晶层，GaAs基板的另一面镀有负极端；磊晶层上沉积有等间距排列设置的正极端，磊晶层上位于正极端之间设置有间隙，间隙设置有遮光层。本发明专利技术的通过图形遮光的四元系芯片及其制造方法，在磊晶层的上镀遮住部分磊晶层的遮光层，磊晶层发出的光线一部分被遮光层遮住，只有一部分没有被遮光层遮挡的光线从磊晶层射出，因此降低了芯片的亮度，从而达到替代二、三元系芯片的目的，其结构简单，节省了人力、化学溶液和其他一些物料的成本，成本较低，制造工艺简单，生产效率较高，良品率高，适合大批量生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于led芯片制造

技术介绍
LED芯片按组成分可分为二元、三元、四元LED芯片。所谓的二元、三元、四元LED芯片，是指该芯片中所含有效元素的数目。如果按组成元素分可以分为以下几种类型 A. 二元芯片，有两种有效元素。亮度较低。B.三元芯片，有三种有效元素。它是指主要含有三种元素的LED芯片，如HY、HO、IR、SR等产品，被称为三元LED。其可见光亮度一般较四元(四种元素)LED要低。C.四元芯片，有四种有效元素。亮度较高，全彩显示幕所用的红光芯片大部分是四兀系广品。二三元系芯片属于低亮度LED芯片，比四元系芯片亮度低很多。然而应用却非常广泛，不可缺少，市场需求量又很大。目前二三元系芯片外延片产地主要是日本，日币又不断升值，致使二三元系芯片的原、物料成本显著增加。因此用新的四元系芯片产品取代二三兀系芯片广品势在必打。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于克服现有技术中的缺陷，提供了一种通过图形遮光的四元系芯片，该四元系芯片与二、三元系芯片相比，大大节省了原、物料成本，同时也减少了原来生产二、三元芯片繁琐的工艺过程，并且可以代替二、三元系芯片。 本专利技术的目的之二在于克服现有技术中的缺陷，提供一种，该方法生产的四元系芯片可取代二、三元系芯片，且该制造方法简单，生产效率高，适合大批量生产。为了解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的 通过图形遮光的四兀系芯片，包括GaAs基板，GaAs基板的一面设有嘉晶层，GaAs基板的另一面镀有负极端；磊晶层上沉积有等间距排列设置的正极端，磊晶层上位于正极端之间设置有间隙，间隙设置有遮光层。进一步，遮光层厚度为大于0m，小于或者等于I X 10_5m。进一步，遮光层厚度为0. 2X10_5m。进一步，遮光层为Ti、Al、W、Cu、Ag、Fe和Cr中任一种的金属薄膜层或者任两种或两种以上组成的合金薄膜层。进一步，遮光层为TiAl合金薄膜层。进一步，遮光层为设置于正极端周围的方框形、圆环形、梯形框形、三角框形的遮光层。 进一步，正极端为在磊晶层上沉积的等间距排列的BeAu薄膜层及在BeAu薄膜层上沉积的Au薄膜层。进一步，负极端为Au薄膜层。进一步，芯片的厚度为IOOiim至300 iim。通过图形遮光的四元系芯片的制造方法，分为两个步骤，第一步，制造整片芯片，具体包括 (1)、在GaAs基板上嘉晶，作为芯片的PN接面， (2)、将GaAs基板进行研磨减薄， (3)、在GaAs基板另一面沉积一层Au薄膜，作为芯片的负极端， (4)、在磊晶层的上镀遮住部分磊晶层的遮光层。 (5)、在露出遮光层的磊晶层上沉积等间距排列的BeAu薄膜层，再在BeAu薄膜层上沉积Au薄膜层，然后经过高温蒸镀，使Au薄膜层与BeAu薄膜层融合在一起，作为LED芯片的正极端。第二步，分割芯片，具体包括 (1)、用切割机的金刚石切刀半切芯片，形成切割道， (2)、全切芯片，沿半切后的切割道将芯片彻底切割成一个个独立的晶粒。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是 本专利技术的，在磊晶层上镀遮住部分磊晶层的遮光层，磊晶层发出的光线一部分被遮光层遮住，只有一部分没有被遮光层遮挡的光线从磊晶层射出，因此降低了芯片的亮度，从而达到替代二、三元系芯片的目的，其结构简单，节省了人力、化学溶液和其他一些物料的成本，成本较低，制造工艺简单，生产效率较高，良品率高,适合大批量生产。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制，在附图中 图I是本专利技术的通过图形遮光的四元系芯片的一个方向的结构示意图。图2是本专利技术的通过图形遮光的四元系芯片的剖面结构示意图。其中图I、图2中包括有 I—负极端、 2-GaAs 基板、 3——磊晶层、 4——遮光层、 5-正极端、 6-发光区、 7——遮光区。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术的通过图形遮光的四兀系芯片，如图I、图2所不，包括GaAs基板2, GaAs基板2的一面设有嘉晶层3,GaAs基板2的另一面锻有负极端I ;嘉晶层3上沉积有等间距排列设置的正极端5，磊晶层3上位于正极端5之间设置有间隙，间隙设置有遮光层4。遮光层4厚度为大于Om,小于或者等于I X 10_5m。遮光层4的厚度根据需要遮光多少来决定，即根据芯片所需的亮度来决定。当遮光层4较薄时，遮光区7的光线可以穿透遮光层4透射出来，则芯片亮度较高；当遮光层4较厚时，则遮光效果较好，芯片亮度较低。根据实际测试得知，遮光层4厚度为0. 2X 10_5m较为合理。遮光层4为Ti、Al、W、Cu、Ag、Fe和Cr中任一种的金属薄膜层或者任两种或两种以上组成的合金薄膜层。遮光层4的材料为透光率小的物质。遮光层4为TiAl合金薄膜层。 遮光层4为设置于正极端5周围的方框形、圆环形、梯形框形、三角框形的遮光层4，或其他不规则形状，选用方框型或者圆环形等规则图形，则发光区66形状较为对称，则发出的光线较为均匀柔和。如图I所示，为方框型遮光层4的俯视图。图形面积大小根据需要遮光多少来决定，即根据芯片所需的亮度来决定，亮度需求高，镀的物质面积小；亮度需求低，镀的物质面积大。正极端5为在磊晶层3上沉积的等间距排列的BeAu薄膜层及在BeAu薄膜层上沉积的Au薄膜层。负极端I为Au薄膜层。芯片厚度为IOOiim 至 300 iim。通过图形遮光的四元系芯片的制造方法，分为两个步骤，第一步，制造整片芯片，具体包括 (1)、在GaAs基板2上磊晶，作为芯片的PN接面， (2)、将GaAs基板2进行研磨减薄， (3)、在GaAs基板2另一面沉积一层Au薄膜，作为芯片的负极端1， (4)、在嘉晶层3的上锻遮住部分嘉晶层3的遮光层4, (5)、在露出遮光层4的磊晶层3上沉积等间距排列的BeAu薄膜层，再在BeAu薄膜层上沉积Au薄膜层，然后经过高温蒸镀，使Au薄膜层与BeAu薄膜层融合在一起，作为LED芯片的正极端5。第二步，分割芯片，具体包括 (1)、用切割机的金刚石切刀半切芯片，形成切割道， (2)、全切芯片，沿半切后的切割道将芯片彻底切割成一个个独立的晶粒。本专利技术的，在磊晶层3的上镀遮住部分磊晶层3的遮光层4，磊晶层3发出的光线一部分被遮光层4遮住，只有一部分没有被遮光层4遮挡的光线从磊晶层3射出，因此降低了芯片的亮度，从而达到替代二、三元系芯片的目的，其结构简单，节省了人力、化学溶液和其他一些物料的成本，成本较低，制造工艺简单，生产效率较高，良品率高，适合大批量生产。最后应说明的是以上仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，但是凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护 范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.通过图形遮光的四元系芯片，包括GaAs基板，所述GaAs基板的一面设有磊晶层，所述GaAs基板的另一面镀有负极端；所述磊晶层上沉积有等间距排列设置的正极端，其特征在于所述磊晶层上位于正极端之间设置有间隙，所述间隙设置有遮光层。2.根据权利要求I所述的通过图形遮光的四元系芯片，其特征在于所述遮光层厚度为大于Om，小于或者等于I X 10_5m。3.根据权利要求2所述的通过图形遮光的四元系芯片，其特征在于所述遮光层厚度为 0. 2 X 10_5mo4.根据权利要求I所述的通过图形遮光的四元系芯片，其特征在于所述遮光层为Ti、Al、W、Cu、Ag、Fe和Cr中任一种的金属薄膜层或者任两种或两种以上组成的合金薄膜层。5.根据权利要求4所述的通过图形遮光的四元系芯片，其特征在于所述遮光层为TiAl合金薄膜层。6.根据权利要求I所述的通过图形遮光的四元系芯片，其特征在于所述遮光层为设置于所述正极端周围的方框形、圆环形、梯形框形、三角框形的遮光层。7.根据权利要求I所述的通过图形遮光的四元系芯片，其特征在于所述正极端为在所述磊晶层上沉积的等间距排列的BeA...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昆男，许智源，王湘军，戴世攀，周晓莉，方飞，
申请(专利权)人：东莞洲磊电子有限公司，
类型：发明
国别省市：