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本发明公开了一种通过图形遮光的四元系芯片及其制造方法，属于led芯片制造技术领域，通过图形遮光的四元系芯片，包括GaAs基板，GaAs基板的一面设有磊晶层，GaAs基板的另一面镀有负极端；磊晶层上沉积有等间距排列设置的正极端，磊晶层上位于正...
该专利属于东莞洲磊电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞洲磊电子有限公司授权不得商用。

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