本发明公开了一种通过图形遮光的四元系芯片及其制造方法，属于led芯片制造技术领域，通过图形遮光的四元系芯片，包括GaAs基板，GaAs基板的一面设有磊晶层，GaAs基板的另一面镀有负极端；磊晶层上沉积有等间距排列设置的正极端，磊晶层上位...

本发明属于LED芯片的制造技术领域，一种取代二、三元系芯片的四元系芯片的制作方法，（1）在所述GaAs基板上磊晶，形成磊晶层，作为芯片的PN接面；（2）将所述GaAs基板的负极面进行研磨减薄；（3）在研磨减薄后的所述GaAs基板的负极面...

一种四元系LED芯片，包括作为磊晶层基板的GaAs基板；GaAs基板的一面磊晶有磊晶层，即LED芯片的PN接面；GaAs基板另一面镀有薄膜Au，作为LED芯片的负极端；在磊晶层上沉积有等间距排列的BeAu薄膜，在BeAu薄膜上还沉积有A...

本发明公开了GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和磊晶层，先对基板的下表面进行第一次蚀刻；在磊晶层蒸镀加工出正电极，对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上蜡处理；然后对基板的下表面进行二次蚀刻，将基板减薄至100μm±...

本发明公开了GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，首先，在芯片表面先实行全面微切的步骤，半切的深度为芯片总体高度的10%～20%；然后，对芯片进行全透切割的步骤，即将半切后的芯片放置于切割机...

本发明发光二极管结构及其光度控制方法，主要在一具有半导体磊晶层的发光二极管最上方第二型批覆层表面，利用蒸镀技术建构一预定厚度的金属薄膜之后，再完成后续的电极加工及切割制程。而可利用金属薄膜对其以下的第二型批覆层及活性发光层产生一定程度的...

本实用新型属于LED晶片焊垫技术领域，具体涉及一种LED晶片正极焊垫，本实用新型采用第一钛层、第二铝层、第三钛层和第四金层的组合取代原来的纯金LED晶片正极焊垫，在焊垫相同厚度的情况下可以节省黄金用量，大大降低了成本。根据实验情况可以看...

本发明属于LED晶片焊垫技术领域，具体涉及一种LED晶片正极焊垫及其制作工艺，它包括四层镀层，从下往上依次为第一钛层、第二铝层、第三钛层、第四金层。本发明采用第一钛层、第二铝层、第三钛层和第四金层的组合取代原来的纯金LED晶片正极焊垫，...