发光二极管结构及其光度控制方法技术

本发明专利技术发光二极管结构及其光度控制方法，主要在一具有半导体磊晶层的发光二极管最上方第二型批覆层表面，利用蒸镀技术建构一预定厚度的金属薄膜之后，再完成后续的电极加工及切割制程。而可利用金属薄膜对其以下的第二型批覆层及活性发光层产生一定程度的遮蔽作用，达到控制发光二极管亮度的目的，进而得以增加其应用的领域，以及可利用金属薄膜的导电性，提升发光二极管的运作效能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种用以控制发光二极管光度的技术，特别是指一种可以有效控制四元化合物发光二极管的光度，藉以增加四元化合物发光二极管应用领域的发光二极管光度控制方法。
技术介绍
按,发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)是由半导体材料制成的发光组件，属于冷光源。它既可作为发光兀器件，也可作为光电显不器件。按波长划分，发光二极管包括可见光(波长450-680 nm)和不可见光(波长850-1550 nm)两大类；按半导体材料区分则可分为元素半导体与化合物半导体等二类。其中，化合物半导体，由字面上意思可知此材料内含两种或两种以上的元素，也就是两种或两种以上的元素所组成的具有半导体特性的化合物，称之为化合物半导体材料。目前常见的化合物半导体材料有二元化合物(砷化镓GaAs、磷化铟InP、氮化镓GaN等)、三元化合物(砷化铝镓AlGaAs、氮化铟镓InGaN等)，以及四元化合物(磷砷化铟镓InGaAsP、磷砷化铝铟AlGaAsP等)。于实际应用时，高亮度发光二极管多使用四元化合物及GaN系化合物，一般亮度发光二极管则多使用GaN系以外二元化合物和三元化合物。由于发光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李明顺，许智源，
申请(专利权)人：东莞洲磊电子有限公司，
类型：发明
国别省市：