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本发明发光二极管结构及其光度控制方法，主要在一具有半导体磊晶层的发光二极管最上方第二型批覆层表面，利用蒸镀技术建构一预定厚度的金属薄膜之后，再完成后续的电极加工及切割制程。而可利用金属薄膜对其以下的第二型批覆层及活性发光层产生一定程度的遮蔽...
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