一种取代二、三元系芯片的四元系芯片及其制作方法技术

本发明专利技术属于LED芯片的制造技术领域，一种取代二、三元系芯片的四元系芯片的制作方法，（1）在所述GaAs基板上磊晶，形成磊晶层，作为芯片的PN接面；（2）将所述GaAs基板的负极面进行研磨减薄；（3）在研磨减薄后的所述GaAs基板的负极面沉积一层Au薄膜，作为芯片的负极端；（4）在所述磊晶层的上方，镀一层用于遮挡所述磊晶层发出光线的吸光层；（5）在所述磊晶层上沉积等间距排列的BeAu薄膜层，再在所述BeAu薄膜层上沉积Au薄膜层，然后经过高温蒸镀，使Au薄膜层与BeAu薄膜层融合在一起，作为所述LED芯片的正极端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开了一种取代二、三元系芯 片的四元系芯片及其制作方法，属于LED芯片的制造

技术介绍
二、三元系芯片属于低亮度LED芯片，比四元系芯片亮度低很多，然而应用范围却非常广泛，不可缺少，市场需求量很大。生产二、三元系芯片的原、物料成本较高，生产的工艺过程较为复杂，人力成本、所使用的化学溶液和其他一些物料成本均比生产四元系芯片闻。目前，二、三元系芯片的外延片产地主要在日本，日币又不断的升值，致使二、三元系芯片的原、物料成本显著增加。因此，研发一种新的产品以取代二、三元系芯片势在必行。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于克服现有技术中的缺陷，提供了一种取代二、三元系芯片的四元系芯片，该四元系芯片与二、三元系芯片相比，大大节省了原、物料成本，同时也减少了原来生产二、三元芯片繁琐的工艺过程。 本专利技术的目的之二在于克服现有技术中的缺陷，提供一种取代二、三元系芯片的四元系芯片的制作方法，该工艺生产的四元系芯片可取代二、三元系芯片，且该制作方法简单，生产效率高，适合大批量生产。为了解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的 一种取代~■、二兀系芯片的四兀系芯片，包括GaAs基板,GaAs基板的一面设有嘉晶层；GaAs基板的另一面镀有负极端；磊晶层上镀有用于吸收光的吸光层，吸光层上沉积有等间距排列设置的正极端。进一步，吸光层的厚度为大于0m，小于或者等于I X 10-7mo进一步，吸光层为金属薄膜层。进一步，金属薄膜层为Au薄膜层。进一步，金属薄膜层为Ti、Al、W、Cu、Ag、Fe或者Cr薄膜层。进一步，负极端为Au薄膜层。进一步，正极端为在磊晶层上沉积的等间距排列的BeAu薄膜层及在BeAu薄膜层上沉积的Au薄膜层。一种取代二、三元系芯片的四元系芯片的制作方法，其特征在于，分为两个步骤，第一步，制造整片芯片，具体包括 (1)、在GaAs基板上嘉晶，形成嘉晶层，作为芯片的PN接面； (2)、将GaAs基板的负极面进行研磨减薄； (3)、在研磨减薄后的GaAs基板的负极面沉积一层Au薄膜，作为芯片的负极端； (4)、在磊晶层的上方，镀一层用于遮挡磊晶层发出光线的吸光层；(5)、在磊晶层上沉积等间距排列的BeAu薄膜层，再在BeAu薄膜层上沉积Au薄膜层，然后经过高温蒸镀，使Au薄膜层与BeAu薄膜层融合在一起，作为LED芯片的正极端；第二步，分割芯片，具体包括 (I)、用切割机的金刚石切刀半切芯片，形成切割道； (2 )、沿半切后的切割道将芯片彻底切割成一个个独立的晶粒。进一步，切割道的深度为25 iim至250iim。进一步，切割道的深度为60 iim。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是 本专利技术的一种取代二、三元系芯片的四元系芯片，在磊晶层上镀吸光层，磊晶层发出的光线在通过吸光层时，一部分光线被吸光层吸收，只有一部分穿过吸光层，从而大大降低了芯片的亮度，从而达到替代二、三元系芯片的目的，其结构简单，节省了人力、化学溶液和其他一些物料的成本，成本较低，制作方法简单，生产效率较高，良品率高，适合大批量生产。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制，在附图中 图I是本专利技术的一种取代二、三元系芯片的四元系芯片的结构示意图。图2是本专利技术的一种取代二、三元系芯片的四元系芯片的半切状态示意图。图3是本专利技术的一种取代二、三元系芯片的四元系芯片的全切状态示意图。图I中包括有以下部件 I—负极端、 2-GaAs 基板、 3——磊晶层、 4——吸光层、 5-正极端、 6——切割道。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术的一种取代二、三元系芯片的四元系芯片如图I至图3所示，包括GaAs基板2, GaAs基板2的一面设有嘉晶层3 ；GaAs基板2的另一面锻有负极端I ;嘉晶层3上锻有用于吸收光的吸光层4，吸光层4上沉积有等间距排列设置的正极端5。吸光层4的厚度为大于0m，小于或者等于I X 10_7m。吸光层4的厚度根据所需光线的强弱来决定，需要的芯片亮度较暗，则吸光层4厚度较厚；需要的芯片亮度较亮，则吸光层4的厚度较薄。吸光层4为金属薄膜层。光线从金属薄膜透射出来，较为均匀、柔和。金属薄膜层为Au薄膜层。Au薄膜层的吸光效率较高，吸光效果较好，作为首选吸光层4的材料。金属薄膜层为Ti、Al、W、Cu、Ag、Fe或者Cr薄膜层。只要是透光的金属薄膜均可以作为吸光层4。负极端I为Au薄膜层。正极端5为在磊晶层3上沉积的等间距排列的BeAu薄膜层及在BeAu薄膜层上沉积的Au薄膜层。一种取代二、三元系芯片的四元系芯片的制作方法，其特征在于，分为两个步骤，第一步，制造整片芯片，具体包括 (1)、在GaAs基板2上嘉晶，形成嘉晶层3,作为芯片的PN接面； (2)、将GaAs基板2的负极面进行研磨减薄；(3)、在研磨减薄后的GaAs基板2的负极面沉积一层Au薄膜，作为芯片的负极端I; (4)、在磊晶层3的上方，镀一层用于遮挡磊晶层3发出光线的吸光层4； (5 )、在磊晶层3上沉积等间距排列的BeAu薄膜层，再在BeAu薄膜层上沉积Au薄膜层，然后经过高温蒸镀，使Au薄膜层与BeAu薄膜层融合在一起，作为LED芯片的正极端5 ；第二步，分割芯片，具体包括 (1)、用切割机的金刚石切刀半切芯片，形成切割道6; (2)、沿半切后的切割道6将芯片彻底切割成一个个独立的晶粒。切割道6的深度为25 u m至250 U m之间。切割道6的最佳深度为60 u m。即刚好将磊晶层3全部切断，GaAs基板2不完全切断，留有切割道6。本专利技术的一种取代二、三元系芯片的四元系芯片，在磊晶层3上镀吸光层4，磊晶层3发出的光线在通过吸光层4时，一部分光线被吸光层4吸收，只有一部分穿过吸光层4，从而大大降低了芯片的亮度，从而达到替代二、三元系芯片的目的，其结构简单，节省了人力、化学溶液和其他一些物料的成本，成本较低，制作方法简单，生产效率较高，良品率高，适合大批量生产。最后应说明的是以上仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种取代二、三元系芯片的四元系芯片，包括GaAs基板，所述GaAs基板的一面设有磊晶层；所述GaAs基板的另一面镀有负极端；其特征在于所述磊晶层上镀有用于吸收光的吸光层，所述吸光层上沉积有等间距排列设置的正极端。2.根据权利要求I所述的一种取代二、三元系芯片的四元系芯片，其特征在于所述吸光层的厚度为大于Om,小于或者等于I X l(T7m。3.根据权利要求I所述的一种取代二、三元系芯片的四元系芯片，其特征在于所述吸光层为金属薄膜层。4.根据权利要求3所述的一种取代二、三元系芯片的四元系芯片，其特征在于所述金属薄膜层为Au薄膜层。5.根据权利要求3所述的一种取代二、三元系芯片的四元系芯片，其特征在于所述金属薄膜层为Ti、Al、W、Cu、Ag、Fe或者Cr薄膜层。6.根据权利要求I所述的一种取代二、三元系芯片的四元系芯片，其特征在于所述负极端为Au薄膜层。7.根据权利要求I所述的一种取代二、三元系芯片的四元系芯片，其特征在于所述正极端为在所述磊晶层上沉积的等间距排列的BeAu薄膜层及在所述BeAu薄膜层上沉积的Au薄膜层。8.一种取代二、...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昆男，许智源，王湘军，戴世攀，周晓莉，方飞，
申请(专利权)人：东莞洲磊电子有限公司，
类型：发明
国别省市：