一种超疏水微坑阵列芯片及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种超疏水微坑阵列芯片及其制备方法与应用。该超疏水微坑阵列芯片包括微坑阵列层，所述微坑阵列层上除微坑或微坑底部以外的表面为超疏水表面。所述超疏水微坑阵列芯片可为：1)微坑以外的表面为超疏水表面，超疏水微坑阵列芯片包括微坑阵列层和贴合在微坑阵列层表面上的超疏水层；2)微坑底部以外的表面为超疏水面，微坑阵列层包括基底层和贴合在基底表面的微孔阵列层，微孔阵列层是由超疏水材料制作的。本发明专利技术微坑阵列芯片在构建细胞微阵列过程中可以很低的成本实现细胞微阵列间的完全隔绝，避免细胞阵列之间交叉污染的发生，并且还保证了很好的生物相容性，对各种细胞的正常生长没有明显的影响，适宜于高通量细胞检测和分析。

【技术实现步骤摘要】
201610232372

【技术保护点】
一种超疏水微坑阵列芯片，它包括微坑阵列层，其特征在于：所述微坑阵列层上设有微坑的表面上除微坑或微坑底部以外的表面为超疏水表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，张鹏飞，张健雄，边升太，程一淳，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11