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本发明公开了一种超疏水微坑阵列芯片及其制备方法与应用。该超疏水微坑阵列芯片包括微坑阵列层，所述微坑阵列层上除微坑或微坑底部以外的表面为超疏水表面。所述超疏水微坑阵列芯片可为：1)微坑以外的表面为超疏水表面，超疏水微坑阵列芯片包括微坑阵列层和...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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