侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法技术

一种侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法，其中侧面粗化的倒装发光二极管，包括：一上衬底和依次在上衬底上生长的成核层和电子注入层，该电子注入层的一侧形成一台面；一发光层生长在电子注入层上；一空穴注入层生长在发光层上；一P电极制作在空穴注入层上；一N电极制作在电子注入层的台面上，形成LED芯片；一下衬底；一绝缘层生长在下衬底上；一P线电极制作在绝缘层上面的一侧；一N线电极制作在绝缘层上面的另一侧，形成倒装基板；该LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接；该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接。可以大大提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，特别是指一种侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法。
技术介绍
由于发光二极管具有节能、环保，寿命长等优点，在未来几年后，发光二极管有可能取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具，而进入千家万户。目前，传统的发光二极管的正装结构芯片，电极位于芯片的出光面上，且由于P-GaN层的导电性能差，一般须在p-GaN层表面引入电流扩展层，而电流扩展层和电极均会吸收部分光而降低发光二极管的光效。同时由于正装结构的散热性差，且很难实现多芯片集成。为了克服正装芯片的这些不足，美国Lumileds公司专利技术了倒装芯片。但是 由于衬底材料的折射率与空气还存在一定的差距，在逃逸界面处发生的光全反射效应，使得发光二极管器件的光提取受到非常大的限制。T.Fujii，Y. Gao等人在Appl. Phys.Lett. 84(2004)855.提出了氮化镓基发光二极管表面粗化技术来提高发光二极管的提取效率。在此之后，表面粗化是常用的提高发光二极管光提取效率的关键技术。但是，之前的表面粗化技术主要集中在P型氮化镓表面粗化、氧化铟锡透明导电层表面粗化、蓝宝石衬底背面粗化、氮化镓外延层的侧面粗化等，并没本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种侧面粗化的倒装发光二极管，包括：一上衬底和依次在上衬底上生长的一成核层和电子注入层，该电子注入层的一侧形成一台面；一发光层，该发光层生长在电子注入层上；一空穴注入层，该空穴注入层生长在发光层上；一P电极，该P电极制作在空穴注入层上；一N电极，该N电极制作在电子注入层的台面上，形成LED芯片；一下衬底；一绝缘层，该绝缘层生长在下衬底上；一P线电极，该P线电极制作在绝缘层上面的一侧；一N线电极，该N线电极制作在绝缘层上面的另一侧，形成倒装基板；该LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接；该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接。

【技术特征摘要】
1.一种侧面粗化的倒装发光二极管，包括 一上衬底和依次在上衬底上生长的一成核层和电子注入层，该电子注入层的一侧形成一台面； 一发光层，该发光层生长在电子注入层上； 一空穴注入层，该空穴注入层生长在发光层上； 一 P电极，该P电极制作在空穴注入层上； 一 N电极，该N电极制作在电子注入层的台面上，形成LED芯片； 一下衬底； 一绝缘层，该绝缘层生长在下衬底上； 一 P线电极，该P线电极制作在绝缘层上面的一侧； 一 N线电极，该N线电极制作在绝缘层上面的另一侧，形成倒装基板； 该LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接；该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接。2.根据权利要求I所述的侧面粗化的倒装发光二极管，其中上衬底的侧面为连续的粗化表面或不连续的粗化表面。3.根据权利要求2所述的侧面粗化的倒装发光二极管，其中上衬底的材料为蓝宝石、Si、SiC、GaAs或玻璃,该上衬底的形状为矩形、梯形、半圆形或半球形。4.根据权利要求I所述的侧面粗化的倒装发光二极管，其中下衬底的材料为硅片、陶瓷、线路板或金属板。5.根据权利要求I所述的侧面粗化的倒装发光二极管，其中所述电子注入层的台面的深度小于电子注入层的厚度。6.一种侧面粗化的倒装发光二极管的制作方法，包括如下步骤 步骤I :在一上衬底的侧面进行粗化处理，形成连续的粗化表面或不连续的粗化表...

【专利技术属性】
技术研发人员：田婷，谢海忠，张逸韵，王兵，杨华，李璟，伊晓燕，王国宏，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：