【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于照明的LED芯片,属于LED灯泡领域。
技术介绍
纳米压印(NIL, Nano Imprint Lithography)是一种纳米微制造技术,利用该技术,可以将由电子束直写(e-Beam Lithiography)或聚焦离子束(FIB)技术制备的模具的纳米结构通过“印章”的办法转移到基底材质上。在GaN LED领域,由于半导体介质的折射率较高,故LED芯片的光提取效率固有地低。产生的光大多数在半导体和空气或蓝宝石基板的交界面发生内部反射,能提取并进入空气的光只有一小部分。曾经提出过好多通过增强光提取效率来提高LED效率的主意。目前LED业界采用的两种主要方法是随机纹理和成形 蓝宝石衬底(PSS)技术。纳米成形化蓝宝石衬底(NPSS),可以认为是传统微米级PSS的延伸。一些研究论文表明NPSS的效率比微米级PSS的发光效率约高1(Γ20%,与PSS相比将有明显优势。从制造工艺的角度看,NPSS的优势不仅仅在于提高了效率。与微米级PSS相比,它结构更小,故蓝宝石蚀刻的时间便可缩短。考虑外延生长,NPSS达到平面外延层所需的时间也较短。此夕卜, ...
【技术保护点】
一种用于照明的LED芯片,包括蓝宝石衬底(1)、由P型氮化镓层(2)和N型氮化镓层(3)组成的发光PN结(4)、分别连接P型氮化镓层(2)和N型氮化镓层(3)的两个引出电极(5),所述蓝宝石衬底(1)与发光PN结(4)接触的表面内具有若干个通孔(6);其特征在于:所述蓝宝石衬底的通孔(6)底部具有“灯泡状”凹坑区(7)。
【技术特征摘要】
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