【技术实现步骤摘要】
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本专利技术是有关一种防反射层及其制作方法,特别是指一种。
技术介绍
近年来发光二极管(LED)当作照明光源已有逐取代传统式白炽灯 (Incandescent)或萤光灯(Flourescent)灯泡的趋势。由于氮化镓(GaN)蓝光二极管具有高亮度及高功率特质,以GaN为基础的半导体已广被业界当作白色LED发光的主要材料。科技的日新月异致GaN材料内部发光层的发光效率(Internal Quantum Efficiency)已精进至90%以上,而LED表层的外部出光效率(External Quantum Efficiency)却不及10%。 也就是说LED发光仅有部分光线能照射出来,而大部分光线抵GaN界面后却折回LED内部并加热整体结构造成光衰现象,此仍此一产品最大缺憾。LED外部发光效率低落仍源自半导体发光材料与空气间光线折射率的大差异。GaN 蓝光(波长440nm)折射率η = 2. 5而空气折射率η =1. O,由Snell' s Law得知光线由 GaN射出至空气,其全反射角度为Oc = 23.6°。也就是仅在23. 6°的锥体内光线才能有机会脱离LED ...
【技术保护点】
一种具渐进式折射率的防反射层,其特征在于:该反射层是由一第一材料与一第二材料所沉积而成,且该反射层的折射率是随厚度于一第一材料的折射率与一第二材料的折射率间呈现渐进式变化。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王金贤,
申请(专利权)人:晶扬科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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