半导体发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体发光元件，其包括一基板、一外延层以及一干涉薄膜。基板具有相对的第一表面以及第二表面。外延层配置于第一表面上。干涉薄膜配置于第二表面上。干涉薄膜由折射率相差至少0.7的多数层第一材质的薄膜以及多数层第二材质的薄膜相互交替堆叠而成。干涉薄膜的反射光谱具有至少一频通带。此至少一频通带允许一特定波长的入射光穿透，例如是中心波长介于532±10nm或1064±10nm之间的入射光，且反射率小于40％。本发明专利技术通过该基板上形成有干涉薄膜，可调变不同波段的穿透率及反射率，以使特定波长范围的激光光穿透此干涉薄膜，而不会被反射回去。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种半导体发光元件，且特别是涉及一种可让特定波长范围的激光光穿透的半导体发光元件。
技术介绍
发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)主要是通过电能转化为光能的方式发光。发光二极管的主要的组成材料是半导体，其中含有带正电的空穴比率较高的称为P型半导体，含有带负电的电子比率较高的称为N型半导体。P型半导体与N型半导体相接处形成PN接面。在发光二极管的正极及负极两端施加电压时，电子将与空穴結合。电子与空穴结合后便以光的形式发出。 由于发光二极管具有寿命长、温度低、能源利用率高等优点，近年来发光二极管已广泛应用于背光模块、台灯、交通号志灯、车用煞车灯等。传统光源已逐渐被发光二极管所取代。请參照图1，其绘示现有ー种反射层的反射光谱的示意图。发光二极管的基板背面若形成一分散式布拉格反射层(Distributed bragg reflector, DBR)时，虽可增加基板正面的出光量，但由于反射层对于波长介于400 700nm之间的入射光为高反射波段(反射率大于90%以上)，而一般用来切割基板的激光光的波长约为532nm,势必会被反射层反射回去，因而无法以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，包括：基板，具有相对的第一表面以及第二表面；外延层，配置于该第一表面上；以及干涉薄膜，配置于该第二表面上，该干涉薄膜由折射率相差至少0.7的多层第一材质的薄膜以及多层第二材质的薄膜相互交替堆叠而成，该干涉薄膜的反射光谱具有至少一频通带，允许一特定波长的入射光穿透。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：傅思维，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：