【技术实现步骤摘要】
发光二极管装置
[0001]本公开是关于发光二极管装置，特别是关于发光二极管装置的像素结构。
技术介绍
[0002]由于发光二极管具有低耗电的优点，发光二极管(light
‑
emitting diode，LED)显示屏幕成为显示
的主流。然而，在发光二极管显示屏幕制程期间，由红、绿、蓝三原色发光二极管组合而成的像素结构会因为发光二极管本身元件厚度及尺寸无法进一步微缩导致像素结构深宽比过高，增加发光二极管接合制程及布线制程的复杂度，使现有的发光二极管的像素结构难以达到小间距、大发光面积、高制程良率和低成本的目标。
[0003]因此，仍需要进一步改良发光二极管的像素结构，以制造出符合产品需求的显示装置。
技术实现思路
[0004]本公开一些实施例提供一种发光二极管装置。发光二极管装置包括像素结构，像素结构包括第一发光二极管晶粒、第二发光二极管晶粒、第三发光二极管晶粒、保护层、第一线路层、第二线路层、第三线路层和第四线路层。第三发光二极管晶粒具有彼此相对的出光面和顶面，其中第一发光二极管晶粒与第二发光二极管晶粒并排于顶面上，第一发光二极管晶粒于顶面上具有第一垂直投影，第二发光二极管晶粒于顶面上具有第二垂直投影，第一垂直投影与第二垂直投影彼此不互相重叠；保护层覆盖第一发光二极管晶粒、第二发光二极管晶粒和第三发光二极管晶粒；彼此分离的第一线路层、第二线路层、第三线路层和第四线路层位于第三发光二极管晶粒与保护层之间，保护层具有多个开口，开口分别对应位于第一线路层的第一接合面上、第二...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管装置，包括：一像素结构，包括：一第一发光二极管晶粒，具有一第一顶面；一第二发光二极管晶粒，具有一第二顶面；一第三发光二极管晶粒，具有彼此相对的一出光面和一第三顶面，其中该第一发光二极管晶粒与该第二发光二极管晶粒并排于该第三顶面上，该第一发光二极管晶粒于该第三顶面上具有一第一垂直投影，该第二发光二极管晶粒于该第三顶面上具有一第二垂直投影，该第一垂直投影与该第二垂直投影彼此不互相重叠；一保护层，覆盖该第一发光二极管晶粒、该第二发光二极管晶粒和该第三发光二极管晶粒；以及彼此分离的一第一线路层、一第二线路层、一第三线路层和一第四线路层，位于该第三发光二极管晶粒与该保护层之间，其中该第一线路层具有一第一接合面、该第二线路层具有一第二接合面、该第三线路层具有一第三接合面以及该第四线路层具有一第四接合面，该保护层具有多个开口，该些开口分别对应位于该第一线路层的该第一接合面上、该第二线路层的该第二接合面上、该第三线路层的该第三接合面上和该第四线路层的该第四接合面上，其中该第一接合面和该第二接合面于该第三顶面上的垂直投影分别与该第一垂直投影重叠，且皆与该第二垂直投影分隔，该第三接合面与该第四接合面于该第三顶面上的垂直投影分别与该第二垂直投影重叠，且皆与该第一垂直投影分隔。2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该第一发光二极管晶粒具有一第一电极、该第二发光二极管晶粒具有一第一电极以及该第三发光二极管晶粒具有一第一电极，其中该第一发光二极管晶粒的该第一电极、该第二发光二极管晶粒的该第一电极和该第三发光二极管晶粒的该第一电极彼此电性连接。3.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该第一发光二极管晶粒具有一第一电极、该第二发光二极管晶粒具有一第一电极以及该第三发光二极管晶粒具有一第一电极，其中该第二线路层同时电性连接该第一发光二极管晶粒的该第一电极、该第二发光二极管晶粒的该第一电极和该第三发光二极管晶粒的该第一电极，其中，该第一发光二极管晶粒的该第一电极、该第二发光二极管晶粒的该第一电极和该第三发光二极管晶粒的该第一电极具有相同极性。4.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该第一线路层和该第二线路层分别设置于该第一发光二极管晶粒远离于该第三发光二极管晶粒的该第一顶面上，其中该第三线路层和该第四线路层分别设置于该第二发光二极管晶粒远离于该第三发光二极管晶粒的该第二顶面上。5.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该第二线路层延伸覆盖该第二发光二极管晶粒的该第二顶面且/或该第四线路层延伸覆盖该第三发光二极管晶粒的该第三顶面。6.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该第四线路层延伸覆盖该第一发光二极管晶粒的该第一顶面。7.如权利要求3所述的发光二极管装置，其中该第一发光二极管晶粒具有一第二电极、该第二发光二极管晶粒具有一第二电极以及该第三发光二极管晶粒具有一第二电极，其中该第二线路层和该第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭修邑，王德忠，许国翊，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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