发光二极管芯片结构制造技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管芯片结构，包括衬底、P电极和N电极，衬底上淀积N型氮化镓层，在N型氮化镓层上设有量子阱，量子阱上设有P型氮化镓层；其特征是：所述P型氮化镓层上设有第一反射层，N型氮化镓层的端部刻蚀形成台阶，在台阶上设有第二反射层；所述第一反射层和P型氮化镓层上设有透明导电层，在透明导电层上淀积钝化层，钝化层包覆透明导电层下方的P型氮化镓层、N型氮化镓层和量子阱；在所述钝化层上设有第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔的底部与第一反射层相接触，第二接触孔的底部与第二反射层相接触，P电极填充于第一接触孔内，N电极填充于第二接触孔内。本发明专利技术提高了芯片的出光效率，延长了LED芯片使用寿命，安全可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管芯片结构，属于LED芯片

技术介绍
发光二极管(LED)芯片由于特征尺寸变小，芯片也越来越小，但由于封装等因素制约电极尺寸变小遇到障碍，从而影响芯片亮度的提升。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种发光二极管芯片结构，提高了发光二极管芯片的发光效率，提高出光。 按照本专利技术提供的技术方案，所述发光二极管芯片结构，包括衬底及位于衬底上方的P电极和N电极，衬底上淀积N型氮化镓层，N型氮化镓层覆盖于衬底上；在所述N型氮化镓层上设有量子阱，量子阱上设有P型氮化镓层；其特征是所述P型氮化镓层上设有第一反射层，所述N型氮化镓层的端部刻蚀形成台阶，在台阶上设有第二反射层；所述第一反射层和P型氮化镓层上设有透明导电层，透明导电层覆盖于P型氮化镓层上，并与P型氮化镓层电连接；在所述透明导电层上淀积钝化层，钝化层覆盖于透明导电层上，并包覆透明导电层下方的P型氮化镓层、N型氮化镓层和量子阱；在所述钝化层上设有第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔的底部与第一反射层相接触，第二接触孔的底部与第二反射层和N型氮化镓层相接触；所述P电极填充于第一接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片结构，包括衬底（1）及位于衬底（1）上方的P电极（5）和N电极（6），衬底（1）上淀积N型氮化镓层（2），N型氮化镓层（2）覆盖于衬底（1）上；在所述N型氮化镓层（2）上设有量子阱（3），量子阱（3）上设有P型氮化镓层（4）；其特征是：所述P型氮化镓层（4）上设有第一反射层（7），所述N型氮化镓层（2）的端部刻蚀形成台阶（11），在台阶（11）上设有第二反射层（8）；所述第一反射层（7）和P型氮化镓层（4）上设有透明导电层（9），透明导电层（9）覆盖于P型氮化镓层（4）上，并与P型氮化镓层（4）电连接；在所述透明导电层（9）上淀积钝化层（10），钝化层（10）覆盖于透明导电层...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜高云，张淋，邓群雄，许雪芳，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：