发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明系统。发光器件包括第一导电型第一半导体层、有源层、第二导电型第二半导体层、可靠性增强层以及第二导电型第三半导体层。有源层设置在第一导电型第一半导体层上。第二导电型第二半导体层设置在有源层上。可靠性增强层设置在第二导电型第二半导体层上。第二导电型第三半导体层设置在可靠性增强层上并且包括光提取图案。可靠性增强层和有源层彼此间隔开0.3μm到5μm的距离。

【技术实现步骤摘要】
发光器件
本公开涉及一种发光器件、一种制造发光器件的方法、一种发光器件封装件以及一种照明系统。
技术介绍
发光器件用于将电能转换为光能。例如，如果LED的化合物半导体的组成改变，则发光二极管(LED)可以发出各种颜色的光。在相关技术中，使用氮化物半导体制造发光器件。例如，相关技术的发光器件包括p-GaN层、有源层和n-GaN层。在相关技术的方法中，通过化学蚀刻使n-GaN层的表面变得粗糙以提高光提取效率。但是，这种化学蚀刻方法导致n-GaN外延层的蚀刻深度的不均匀性。例如，n-GaN外延层的一部分可被过度地蚀刻掉，这导致电流泄露以及降低电可靠性和光学可靠性。具体地，如果n-GaN外延层的晶体缺陷区被过度地蚀刻，则发光器件的可靠性严重地降低。具体地，在用于大型和高功率照明系统的发光器件的情况下，由于大的电流和大的发光区域，所以与用于小型和低功率系统的发光器件相比，发光器件的可靠性更重要。此外，氮化物半导体发光器件不可避免地具有很多晶体缺陷如穿透位错。尤其是在垂直型发光器件中，这种晶体缺陷在正电极与负电极之间形成电流泄漏的路径，并且在蚀刻n-GaN层时，晶体缺陷周围的区域比其它区域得到更本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：第一导电型第一半导体层；在所述第一导电型第一半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电型第二半导体层；在所述第二导电型第二半导体层上的可靠性增强层；以及在所述可靠性增强层上并且包括光提取图案的第二导电型第三半导体层，其中所述可靠性增强层与所述有源层彼此间隔开0.3μm到5μm的距离。

【技术特征摘要】
2011.07.08 KR 10-2011-0067691;2011.09.22 KR 10-201.一种发光器件，包括：第一导电型第一半导体层；在所述第一导电型第一半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电型第二半导体层；包括突出部并且设置在所述第二导电型第二半导体层上的可靠性增强层；以及在所述可靠性增强层上并且包括光提取图案的第二导电型第三半导体层，其中所述可靠性增强层与所述有源层彼此间隔开0.3μm到5μm的距离。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述可靠性增强层的厚度为5nm到200nm。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述可靠性增强层包括InxAlyGa(1-x-y)N，其中0≤x≤1并且0<y≤1。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第二导电型第三半导体层包括具有组成式InpAlqGa1-p-qN的半导体材料，其中0≤p≤1，0≤q≤1并且0≤p+q≤1，其中所述可靠性增强层的铝组成(y)大于所述第二导电型第三半导体层的铝组成(q)。5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述可靠性增强层的铝组成(y)满足下式：q+0.05≤y≤q+0.5，其中0≤q≤0.5。6.根据权利要求3所述的发光器件，其中如果所述第二导电型第三半导体层包括具有组成式InpAlqGa1-p-qN的半导体材料，其中0≤p≤1，0≤q≤1并且0≤p+q≤1，则所述可靠性增强层的铟组成小于所述第二导电型第三半导体层的铟组成。7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述可靠性增强层的能带隙大于所述第二导电型第三半导体层的能带隙。8.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述可靠性增强层包括具有不同能带隙的第一可靠性增强层和第二可靠性增强层。9.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其中所述可靠性增强层...

【专利技术属性】
技术研发人员：文用泰，宋镛先，丁圣勋，朴仲绪，李尚俊，吴正铎，崔洛俊，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：