一种感光组件、指纹识别面板及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种感光组件、指纹识别面板及装置，涉及感光技术领域，能够解决因光线从侧面直接入射至光敏器件中而造成噪音干扰的问题。该感光组件包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管以及光敏器件，光敏器件包括沿远离衬底基板方向依次设置的第一电极、PIN半导体层、第二电极，第一电极与薄膜晶体管的漏极连接，第一电极为不透明电极，第二电极为透明电极；感光组件还包括：覆盖薄膜晶体管、第一电极未接触PIN半导体层的部分以及PIN半导体层侧面的隔离介质层，隔离介质层的上表面与第二电极接触，隔离介质层用于将第二电极与第一电极、PIN半导体层侧面、薄膜晶体管绝缘隔离开；隔离介质层包括设置于PIN半导体层的侧面的遮光部。

Photosensitive assembly, fingerprint identification panel and device

The embodiment of the invention provides a photosensitive component, a fingerprint identification panel and a device, relating to the field of photosensitive technology, and can solve the problem of noise interference caused by the direct incident of light from the side to the photosensitive device. The photosensitive component includes a substrate on the thin film transistor and a photosensitive device, a photosensitive device includes a first electrode, PIN semiconductor layer, second electrodes are arranged in sequence along the direction away from a substrate, a first electrode and a drain electrode of the thin film transistor is connected to the first electrode, the second electrode opaque electrode, a transparent electrode; a photosensitive component also includes: thin film transistor, a first electrode cover not contact isolation dielectric layer and PIN semiconductor layer side PIN semiconductor layer, the upper surface of the isolation dielectric layer in contact with the second electrode layer, the isolation medium for the second electrode and the first electrode, PIN semiconductor layer side, thin film transistor insulating layer includes the isolation medium to leave; side is set at PIN the shading part of the semiconductor layer.

【技术实现步骤摘要】
一种感光组件、指纹识别面板及装置
本专利技术涉及感光
，尤其涉及一种感光组件、指纹识别面板及装置。
技术介绍
光敏器件能够将不同强度的光线转化为不同大小的光电流，因此感光元件在获取光强参数以及通过不同的光强获取图案等领域得到广泛的应用。例如，在指纹识别元件获取和识别指纹的领域中，如图1所示，当手指置于指纹识别元件中的光敏器件20的上方时，位于光敏器件20下方的光源10发出的光线能够透过该指纹识别元件，并入射至手指的谷和脊处，并经反射从上方入射至该光敏器件20中，由于手指的谷和脊反射至光敏器件20的光强不同，使得该光敏器件20产生的光电流不同，进而处理器能够根据不同的光电信号获取手指的指纹图案。然而，如图1所示，存在部分光线(图1中虚线箭头所示)会从该光敏器件20的侧面不经过手指而直接入射至该光敏器件20，该部分入射光同样会使得光敏器件20产生电信号，导致对指纹识别过程的电信号造成噪音干扰，进而对指纹检测过程造成不利影响。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种感光组件、指纹识别面板及装置，能够解决因光线从侧面直接入射至光敏器件中而造成噪音干扰的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例一方面提供一种感光组件，该感光组件包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管以及光敏器件；所述光敏器件包括沿远离所述衬底基板方向依次设置的第一电极、PIN半导体层、第二电极，所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极连接，其特征在于，所述第一电极为不透明电极，所述第二电极为透明电极；所述感光组件还包括：覆盖所述薄膜晶体管、所述第一电极未接触所述PIN半导体层的部分以及所述PIN半导体层侧面的隔离介质层，所述隔离介质层的上表面与所述第二电极接触，所述隔离介质层用于将所述第二电极与所述第一电极、所述PIN半导体层侧面、所述薄膜晶体管绝缘隔离开；所述隔离介质层包括设置于所述PIN半导体层的侧面的遮光部。进一步的，所述第二电极包括层叠设置的第一透明导电图案和第二透明导电图案，且第一透明导电图案与所述PIN半导体层接触；所述第二透明导电图案通过位于所述隔离介质层上的过孔与所述第一透明导图案连接。进一步的，所述隔离介质层包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述第一绝缘层位于所述第一电极与所述PIN半导体层之间，所述PIN半导体层通过位于所述第一绝缘层上的过孔与所述第一电极连接，所述第一绝缘层至少覆盖所述薄膜晶体管以及所述第一电极未接触所述PIN半导体层的部分；所述第二绝缘层位于所述第一透明导电图案与所述第二透明导电图案之间，所述第二绝缘层至少覆盖所述PIN半导体层侧面未接触所述第一绝缘层的部分，且与所述第一绝缘层接触；所述遮光部位于所述第二绝缘层与所述第二透明导电图案之间。进一步的，所述隔离介质层包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一透明导电图案与所述第二透明导电图案之间；所述第一绝缘层至少覆盖所述薄膜晶体管、所述第一电极未接触所述PIN半导体层的部分以及所述PIN半导体层侧面，所述遮光部位于所述第一绝缘层与所述第二透明导电图案之间。进一步的，所述遮光部主要由金属材料构成，或者，所述遮光部主要由黑色绝缘材料构成。进一步的，在所述遮光部主要由金属材料构成的情况下，所述遮光部通过位于所述第一绝缘层上的过孔与所述第一电极接触，且所述隔离介质层还包括位于所述遮光部与所述第二透明导电图案之间第三绝缘层；或者，所述遮光部主要由黑色绝缘材料构成的情况下，所述遮光部通过位于所述第一绝缘层上的过孔与所述第一电极接触。进一步的，所述隔离介质层包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一电极与所述PIN半导体层之间，所述PIN半导体层通过位于所述第一绝缘层上的过孔与所述第一电极连接，所述第一绝缘层至少覆盖所述薄膜晶体管以及所述第一电极未接触所述PIN半导体层的部分；所述遮光部主要由黑色绝缘材料构成，且位于所述第一透明导电图案与所述第二透明导电图案之间，所述第二透明导电图案通过所述遮光部上的过孔与所述第一透明导电图案连接，所述遮光部至少覆盖所述PIN半导体层的侧面。进一步的，所述感光组件还包括：位于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板的一侧的遮光图案；所述遮光图案与所述遮光部同层同材料，且所述遮光图案至少遮挡所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的部分。本专利技术实施例另一方面该提供一种指纹识别基板，包括多条横纵交叉的栅线和数据线，并界定出多个以矩阵形式排列的感光单元，每一所述感光单元包括前述任一种感光组件。本专利技术实施例再一方面还提供一种指纹识别装置，包括前述任一种指纹识别基板以及发光器件，且所述发光器件位于所述指纹识别基板未设置光敏器件的一侧。本专利技术实施例提供一种感光组件、指纹识别面板及装置，该感光组件包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管以及光敏器件，其中，光敏器件包括沿远离衬底基板方向依次设置的第一电极、PIN半导体层、第二电极，第一电极与薄膜晶体管的漏极连接，第一电极为不透明电极，第二电极为透明电极；该感光组件还包括：覆盖薄膜晶体管、第一电极未接触所述PIN半导体层的部分以及PIN半导体层侧面的隔离介质层，隔离介质层的上表面与第二电极接触，隔离介质层用于将所述第二电极与第一电极、PIN半导体层侧面、薄膜晶体管绝缘隔离开；且该隔离介质层包括设置于PIN半导体层的侧面的遮光部。由于光敏器件中PIN半导体层的侧面具有遮光部，且分别与PIN半导体层上、下表面接触的第一电极为不透明电极，第二电极为透明电极，这样一来，外界光线仅能通过第二电极入射至PIN半导体层，并转化为光电信号；以该光敏器件应用于指纹识别装置为例，光源发出的光线仅能经手指反射后通过第二电极入射至PIN半导体层，而不能直接透过PIN半导体层的侧面的遮光部入射至该PIN半导体层，从而解决了因光线从侧面直接入射至光敏器件中而造成噪音干扰的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的指纹识别装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种感光组件的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种感光组件的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的再一种感光组件的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的又一种感光组件的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的又一种感光组件的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的又一种感光组件的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的又一种感光组件的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种指纹识别基板的结构示意图。附图标记：01-衬底基板；10-光源；100-隔离介质层；101-第一绝缘层；102-第二绝缘层；103-第三绝缘层；20-光敏器件；200-遮光部；201-第一电极；202-第二电极；2021-第一透明导电图案；2022-第二透明导电图案；203-PIN半导体层；30-薄膜晶体管；301-遮光图案；40-感光单元。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感光组件，所述感光组件包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管以及光敏器件；所述光敏器件包括沿远离所述衬底基板方向依次设置的第一电极、PIN半导体层、第二电极，所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极连接，其特征在于，所述第一电极为不透明电极，所述第二电极为透明电极；所述感光组件还包括：覆盖所述薄膜晶体管、所述第一电极未接触所述PIN半导体层的部分以及所述PIN半导体层侧面的隔离介质层，所述隔离介质层的上表面与所述第二电极接触，所述隔离介质层用于将所述第二电极与所述第一电极、所述PIN半导体层侧面、所述薄膜晶体管绝缘隔离开；所述隔离介质层包括设置于所述PIN半导体层的侧面的遮光部。

【技术特征摘要】
1.一种感光组件，所述感光组件包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管以及光敏器件；所述光敏器件包括沿远离所述衬底基板方向依次设置的第一电极、PIN半导体层、第二电极，所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极连接，其特征在于，所述第一电极为不透明电极，所述第二电极为透明电极；所述感光组件还包括：覆盖所述薄膜晶体管、所述第一电极未接触所述PIN半导体层的部分以及所述PIN半导体层侧面的隔离介质层，所述隔离介质层的上表面与所述第二电极接触，所述隔离介质层用于将所述第二电极与所述第一电极、所述PIN半导体层侧面、所述薄膜晶体管绝缘隔离开；所述隔离介质层包括设置于所述PIN半导体层的侧面的遮光部。2.根据权利要求1所述的感光组件，其特征在于，所述第二电极包括层叠设置的第一透明导电图案和第二透明导电图案，且第一透明导电图案与所述PIN半导体层接触；所述第二透明导电图案通过位于所述隔离介质层上的过孔与所述第一透明导图案连接。3.根据权利要求2所述的感光组件，其特征在于，所述隔离介质层包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述第一绝缘层位于所述第一电极与所述PIN半导体层之间，所述PIN半导体层通过位于所述第一绝缘层上的过孔与所述第一电极连接，所述第一绝缘层至少覆盖所述薄膜晶体管以及所述第一电极未接触所述PIN半导体层的部分；所述第二绝缘层位于所述第一透明导电图案与所述第二透明导电图案之间，所述第二绝缘层至少覆盖所述PIN半导体层侧面未接触所述第一绝缘层的部分，且与所述第一绝缘层接触；所述遮光部位于所述第二绝缘层与所述第二透明导电图案之间。4.根据权利要求2所述的感光组件，其特征在于，所述隔离介质层包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一透明导电图案与所述第二透明导电图案之间；所述第一绝缘层至少覆盖所述薄膜晶体管、所述第一电极未接触所述PIN半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英明，董学，吕敬，王海生，陈小川，丁小梁，许睿，贾亚楠，赵利军，李昌峰，郭玉珍，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11