发光器件制造技术

本发明专利技术公开了发光器件，该发光器件包括：包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构；设置在第二半导体层上的磷光板；以及设置在发光结构与磷光板之间的接合部，该接合部将磷光板接合到发光结构。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了发光器件，该发光器件包括：包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构；设置在第二半导体层上的磷光板；以及设置在发光结构与磷光板之间的接合部，该接合部将磷光板接合到发光结构。【专利说明】发光器件相关申请的交叉引用本申请要求2012年9月20日在韩国提交的韩国专利申请第10-2012-0104637号的优先权，该申请通过引用全文并入本文，如在本文中完全记载的一样。
实施方案涉及发光器件。
技术介绍
随着薄膜生长方法和器件材料的发展，发光器件如使用第II1-V族或第I1-VI族化合物半导体材料的发光二极管(LED)或激光二极管(LD)呈现各种颜色，如红光、绿光、蓝光和紫外光。发光器件使用荧光材料或组合颜色有效地实现白光，并且与常规光源如荧光灯和白炽灯相比，发光器件具有如低功耗、半永久性的使用寿命、快的响应速度、稳定和环境友好等优点。通常，将包括磷光体和树脂的混合物的树脂组合物应用于发光芯片，或者用树脂组合物密封发光芯片以产生白光。此外，可以使用在发光芯片上设置包含磷光体的层、片或板的方法来代替涂敷或模制包含磷光体的树脂的方法。在这种情况下，重要的是将磷光层、磷光片或磷光板稳定地粘附到发光芯片的上部。
技术实现思路
实施方案提供了能够提高磷光板(phosphor plate)的粘附精度并且防止由于热弓I起的磷光板变色和开裂的发光器件。在一个实施方案中，发光器件包括:包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构；设置在第二半导体层上的磷光板；以及设置在发光结构与磷光板之间的接合部，该接合部将磷光板接合到发光结构。接合部可以包括设置在第二半导体层上的第一接合层以及设置在磷光板的表面上并且接合到第一接合层的第二接合层。第二接合层可以熔接(fuse)到第一接合层。在第一接合层与第二接合层之间可以存在熔接界面(fused interface)。第二接合层的熔点可以不同于第一接合层的熔点。第一接合层和第二接合层可以分别包括多个第一接合层和多个第二接合层，第一接合层和第二接合层可以设置成使得第一接合层分别对应于第二接合层，并且第二接合层之一可以接合到第一接合层之一。发光器件还可以包括设置在第二半导体层上的用于线焊的焊垫部，其中磷光板具有露出焊垫部的开口。第一接合层和第二接合层可以包括Ag、N1、Cr、T1、Al、Rh、Pd、Sn、Ru、Mg、Zn、Pt 和Au中的至少一种或者包含它们的合金。发光器件还可以包括从焊垫部延伸并且设置在第二半导体层上的延伸电极部。延伸电极部可以设置在第二半导体层与磷光板之间，并且所述开口可以露出延伸电极部的与焊垫部邻近的一部分。接合部还可以包括设置在磷光板的表面上并且接合到延伸电极部的第三接合层。在延伸电极部与第三接合层之间可以存在熔接界面。第三接合层的熔点可以不同于延伸电极部的熔点。第三接合层的宽度可以小于或等于延伸电极部的宽度。在磷光板与发光结构之间可以存在气隙(air void)。发光器件还可以包括设置在第一半导体层下方的衬底、设置在第一半导体层的露出部分上的第一电极以及设置在第二半导体层上的导电层，其中第一接合层设置在导电层上。发光器件还可以包括设置在第一半导体层下方的反射层、设置在第一半导体层与反射层之间的欧姆区域以及设置在反射层下方的支撑层。发光器件还可以包括设置在第一半导体层下方的第一电极部；设置在第一电极部下方的第二电极部，第二电极部穿过第一电极部、第一半导体层和有源层并且接触第二半导体层；以及设置在第一电极部与第二电极部之间、第一半导体层与第二电极部之间、以及有源层与第二电极部之间的绝缘层。第二电极部可以包括设置在第一电极部下方的下部电极层，以及从下部电极层分支并且接触第二半导体层的至少一个接触电极。在另一实施方案中，发光器件封装件包括:封装件本体；设置在封装件本体上的第一引线框和第二引线框；设置在第二引线框上的发光器件；以及围绕发光器件的树脂层，其中发光器件包括:包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构；设置在第二半导体层上的磷光板；以及设置在发光结构与磷光板之间的接合部，该接合部将磷光板接合到发光结构。【专利附图】【附图说明】可参考附图对布置和实施方案进行详细描述，在附图中，相同的附图标记指代相同的元件,并且其中:图1是示出根据一个实施方案的发光器件的俯视图；图2是沿着图1所示的发光器件的AB方向截取的截面图；图3是沿着图1所示的发光器件的CD方向截取的截面图；图4示出图1所示的接合部的第一接合层；图5示出图1所示的接合部的第二接合层；图6是沿着图1所示发光器件的一个变化实施方案的AB方向截取的截面图；图7是沿着图1所示发光器件的一个变化实施方案的CD方向截取的截面图；图8示出第一接合层与第二接合层的熔接；图9示出熔接到第一接合层的第二接合层；图10是示出根据另一实施方案的发光器件的俯视图；图11是沿着图10所示的发光器件的EF方向截取的截面图；图12示出接合区域，在所述接合区域中图10所示第一接合部的第一接合层接合到延伸电极；图13示出如图10所示的第一接合部的第二接合层和第二接合部的第三接合层；图14是图11所示的虚线区域11的放大图；图15是示出根据另一实施方案的发光器件的俯视图；图16是沿着图15所示发光器件的AB方向截取的截面图；图17是示出图15所示发光器件的一个变化实施方案的截面图；图18是不出图17所不发光器件的一个变化实施方案的CD方向的截面图；图19是示出根据另一实施方案的发光器件的截面图；图20不出根据一个实施方案的发光器件封装件；图21是示出包括根据一个实施方案的发光器件封装件的发光器件的分解透视图；图22是示出包括根据一个实施方案的发光器件封装件的显示装置的视图；以及图23示出包括根据一个实施方案的发光器件封装件的前灯。【具体实施方式】下文中，根据结合`附图和实施方案得到的描述，可以清楚地理解实施方案。在描述实施方案之前，关于优选实施方案的描述，应当理解，在一个元件(如层(膜)、区域或结构)被称为形成在另一元件(如衬底、层(膜)、区域、焊垫或图案)“上”或“下方”时，所述一个元件可以直接形成在另一元件“上”或“下方”，或者可以经由它们之间存在的中间元件间接地形成在另一个元件“上”或“下方”。在元件被称为在“上”或“下方”时，基于该元件可以包括“在元件下”以及“在元件上方”。在附图中，为了便于描述以及清楚起见，可以放大、省略或示意性地示出每个层的厚度或者尺寸。而且，每个构成元件的尺寸或面积不完全反映其实际尺寸。图1是示出根据一个实施方案的发光器件100-1的俯视图。图2是沿着图1所示的发光器件100-1的AB方向截取的截面图。图3是沿着图1所示的发光器件100-1的⑶方向截取的截面图。图4示出图1所示的接合部160-1至160-n的第一接合层170-1至170-n。图5示出图1所示的接合部160-1至160_n的第二接合层180-1至180_n。参考图1至图5,发光器件100-1包括衬底110、发光结构120、第一电极142、第二电极144-1和144-2、包括至少一个第一接合层170-1至170_n(其中，η是I或更大的自然数)和至少一个第二接合层180-1至180-η(其中，η是I或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构；设置在所述第二半导体层上的磷光板；以及设置在所述发光结构与所述磷光板之间的接合部，所述接合部将所述磷光板接合到所述发光结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李建教，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR