发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件。该发光器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及有源层，置于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间。该第二导电类型半导体层包括：电子阻挡区域，布置为靠近有源层且具有图案，该图案具有彼此隔开的多个元件。本发明专利技术的发光器件通过使用EBL阻挡电子溢出并提高空穴注入效率，从而提高其内部量子效能。

【技术实现步骤摘要】
发光器件相关申请的交叉引用本申请要求2012年8月6日在韩国提交的第10-2012-0085569号韩国专利申请的优先权，其内容通过引用的方式整体并入此处，就如将其全文描述于此一样。
本实施例涉及一种包括具有图案的电子阻挡层的发光器件。
技术介绍
使用II1-V族或I1-VI族半导体材料的发光器件(例如发光二极管和激光二极管)凭借薄膜生长技术和器件材料的发展可以呈现各种颜色(例如红色、绿色、蓝色)和紫外线。也可以使用荧光材料或通过色混合来产生高效白光。此外，与诸如荧光灯和白炽灯等现有光源相比，所述发光器件具有诸如低功耗、半永久性寿命、快速响应时间、安全以及环境友好等优点。因此，这些发光器件被逐渐应用于光学通信单元的传输模块、构成液晶显示(IXD)器件的背光的发光二极管背光(用于替代冷阴极荧光灯(CCFLs))、使用白光发光二极管(用于替代荧光灯或白炽灯)的照明装置、车辆的前灯、以及交通灯。图1为简要示出现有的发光器件的剖视图。现有的发光器件包括:衬底10 ;发光结构，其包括:n-GaN层20 ;有源层30 ;以及ρ-GaN层40 ;N电极60，布置在n_GaN层20上；以及P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及有源层，置于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，其中所述第二导电类型半导体层被布置为靠近所述有源层并包括多个电子阻挡区域，所述电子阻挡区域被图案化以彼此隔开。

【技术特征摘要】
2012.08.06 KR 10-2012-00855691.一种发光器件，包括: 第一导电类型半导体层； 第二导电类型半导体层；以及 有源层，置于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间， 其中所述第二导电类型半导体层被布置为靠近所述有源层并包括多个电子阻挡区域，所述电子阻挡区域被图案化以彼此隔开。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电子阻挡区域的每一个包括AlGaN单层、AlGaN/GaN复合层或InAlGaN/GaN复合层。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电子阻挡区域被图案化以形成周期性阵列。4.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件，其中所述电子阻挡区域的每一个具有50nm至200nm的宽度。5.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件，其中所述电子阻挡区域的每一个与相邻的电子阻挡区域间隔5nm至50nm的距离。6.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件，其中所述电子阻挡区域是第一区域，且布置在相邻的第一区域之间的区域是第二区域， 其中所述第二区域的宽度W2与所述第一区域的宽度W1和所述第二区域的宽度W2的总和(WJW2)的比处于2.4%至50%的范围。7.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件，其中所述电子阻挡区域是第一区域，且布置在相邻的第一区域之间的区域是第二区域， 其中所述第二区域的面积与所述发光器件的总截面面积的比处于5%至80%的范围。8.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件，其中所述电子阻挡区域是第一区域，且布置在相邻的第一区域之间的区域是第二区域， 其中所述第二区域具有比所述第一区域更小的能量带隙。9.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件，还包括:透明电极层，布置在所述第二导电类型半导体层上。10.一种发光器件，包括: 第一导电类型半导体层； 第二导电类型半导体层；以及 有源层，置于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间， 其中所述第二导电类型半导体层包括:电子阻挡层，布置为靠近所述有源层；以及第二导电类型覆层，形成在所述电子阻挡层上， 其中所述电子阻挡层包括:多个第一区域，被图案化以彼此隔开；第二区域，布置在相邻的第一区域之间，所述第一区域和所述第二区域由具有不同能量带隙的材料形成。11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第一区域的每一个是电子阻挡区域，而所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林贤哲，崔宰熏，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：