LED外延片制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种LED外延片，该LED外延片包括：衬底；图形层，所述图形层具有纳米凸起图形，所述纳米凸起图形之间具有空隙间隔，所述图形层设置于所述衬底上；外延层，所述外延层设置在所述图形层上。本实用新型专利技术提供的LED外延片，可以能够提高外延层晶格质量，改善LED芯片出光效率，同时针对需要剥离的垂直结构的LED芯片，避免了使用价格昂贵的激光剥离设备，并且剥离面的质量得到保证。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二级管(LED)制造领域，特别是涉及一种LED外延片。
技术介绍
无机半导体材料，如氮化镓基材料、磷化镓基材料和镓氮磷基材料等无机材料，可以通过掺入其它元素(铟或者铝)来实现蓝光、绿光或紫外光的发光二极管(lightemitting diode，简称LED)，因此在显示、照明和存储等领域有非常广泛的应用。从上世纪30年代开始，人们就开始了对无机半导体材料的广泛研究，尤其是在90年代初，人们发现了利用低温生长的无机半导体材料成核层可以很大程度提高无机半导体材料外延层的晶格质量，而由此制作出了高亮度的LED器件。 目前虽然无机半导体材料的LED产品取得了很大的进展，但仍有一些关键问题有待解决首先是无法为外延层提供合适的衬底，这样在外延层异质外延生长的过程中会导致晶格不匹配，热不匹配等问题，并且伴随着较大的位错缺陷密度，针对这个问题，有人采用横向外延生长技术(Lateral Epitaxial Over grown,简称ELOG技术)来生长高质量的氮化物外延膜；另外一个问题就是LED发光提取效率。由于无机半导体材料和空气的折射率相差较大，导致二者界面的全反射临界只有23°左本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED外延片，包括：衬底；图形层，所述图形层具有纳米凸起图形，所述纳米凸起图形之间具有空隙间隔，所述图形层设置于所述衬底上；外延层，所述外延层设置在所述图形层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高耀辉，张昊翔，封飞飞，金豫浙，万远涛，李东昇，江忠永，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：