【技术实现步骤摘要】
本技术涉及发光二级管(LED)制造领域,特别是涉及一种便于打线的LED芯片。
技术介绍
自从20世纪90年代初氮化镓基LED商业化以来,LED的应用领域得到迅速的扩大,扩大的市场又不断对LED提出新的技术要求,促使LED的结构向更完善、更成熟的方向发展。近年来国内LED企业在政府的鼓励扶持下,通过北京奥运会、上海世博会、广州亚运会、深圳大运会和“十城万盏”等又获得了进一步的发展。随着图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate,简称PSS)的引入及外延层半导体材料外延生长技术的不断改进,外延层半导体材料的晶体质量得到了很大的提高,从而降低了由于晶格缺陷及材料吸收造成的光能损失,而且减少了由于界面全反射造成的光能损失,大大提高了 LED芯片的外量子效率,满足了现阶段景观照明和通用照明对LED芯片亮度的需求。然而外延层半导体材料的晶体质量的提高,使得晶格缺陷的减少,从而大大降低了外延层上表面的粗糙度,降低了电极与外延层的黏附性,造成电极脱落和打线困难等异常现象。因此,如何提高电极与外延层的黏附性,解决电极脱落和打线困难等问题,已成为本领 ...
【技术保护点】
一种便于打线的LED芯片,包括:衬底;外延层,所述外延层设置于所述衬底上,所述外延层具有第一电极制备区和第二电极制备区,所述第一电极制备区和所述第二电极制备区彼此独立,所述第一电极制备区内具有第一电极粗化区,所述第二电极制备区内具有第二电极粗化区;第一电极,所述第一电极设置于所述第一电极制备区上;以及第二电极,所述第二电极设置于所述第二电极制备区上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:丁海生,李东昇,马新刚,江忠永,张昊翔,王洋,李超,
申请(专利权)人:杭州士兰明芯科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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