发光器件及发光器件封装件制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件和一种发光器件封装件。发光器件包括：包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电半导体层的发光结构；在第一导电半导体层上的第一电极；在第二导电半导体层上的透明电极；以及在透明电极上的第二电极。第一电极包括：在第一导电半导体层的从第二导电半导体层和有源层暴露出的第一区域上的第一电极垫；以及从第一电极垫朝其中暴露出第一导电半导体层的第二区域延伸的第一电极指状部。透明电极与第一电极指状部之间的间隙从第一区域向第二区域逐渐变窄。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及发光器件封装件
实施方案涉及一种发光器件、用于制造这种发光器件的方法、一种发光器件封装件以及一种照明装置。
技术介绍
发光二极管(LED)已经广泛地用作发光器件之一。LED利用化合物半导体的特性将电信号转换成光的形式，如红外线、紫外线以及可见光。随着发光器件的光效率提高，LED已经用在各个领域中，如显示设备和照明设备。
技术实现思路
实施方案提供了一种具有新颖结构的发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。实施方案提供了一种能够改善光提取效率的发光器件、一种用于制造这种发光器件的方法、一种发光器件封装件以及一种照明装置。根据实施方案，提供了一种发光器件，该发光器件包括：包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电半导体层的发光结构；在第一导电半导体层上的第一电极；在第二导电半导体层上的透明电极；以及在透明电极上的第二电极。第一电极包括：第一导电半导体层的从第二导电半导体层和有源层暴露出的第一区域上的第一电极垫；以及从第一电极垫朝其中暴露出第一导电半导体层的第二区域延伸的第一电极指状部。透明电极与第一电极指状部之间的间隙从第一区域向第二区域逐渐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第二导电半导体层的发光结构；在所述第一导电半导体层上的第一电极；在所述第二导电半导体层上的透明电极；以及在所述透明电极上的第二电极，其中所述第一电极包括：在所述第一导电半导体层的从所述第二导电半导体层和所述有源层暴露出的第一区域上的第一电极垫、以及从所述第一电极垫延伸至其中暴露出所述第一导电半导体层的第二区域的第一电极指状部，以及其中所述透明电极与所述第一电极指状部之间的间隙从所述第一区域向所述第二区域逐渐变窄。

【技术特征摘要】
2011.06.23 KR 10-2011-00613891.一种发光器件，包括：包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第二导电半导体层的发光结构；在所述第一导电半导体层上的第一电极；在所述第二导电半导体层上的透明电极；以及在所述透明电极上的第二电极，其中所述第一电极包括：在所述第一导电半导体层的从所述第二导电半导体层和所述有源层暴露出的第一区域上的第一电极垫、以及从所述第一电极垫延伸至其中暴露出所述第一导电半导体层的第二区域的第一电极指状部，其中所述透明电极与所述第一电极指状部之间的间隙从所述第一区域向所述第二区域逐渐变窄，其中所述透明电极包括第一部分、第二部分和第三部分，其中所述第二部分从所述第一部分延伸，其中所述第三部分从所述第一部分延伸并且与所述第二部分相分离，以及其中所述第二部分和所述第三部分之间的最短距离沿所述第一电极指状部从所述第一区域向所述第二区域逐渐变窄。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二导电半导体层与所述第一电极指状部之间的间隙从所述第一区域向所述第二区域逐渐变窄。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二导电半导体层与所述第一电极指状部之间的间隙从所述第一区域向所述第二区域恒定地设置。4.根据权利要求1或3所述的发光器件，其中所述有源层与所述第一电极指状部之间的间隙从所述第一区域向所述第二区域恒定地设置。5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第二电极包括：在第三区域中的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：金省均，秋圣镐，朱炫承，徐在元，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：