一种LED覆晶结构，包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯片。所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极。所述LED芯片包括分别与电路层的第一电极与第二电极对应连接的正电极和负电极。所述正电极和负电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极和第二电极。所述LED覆晶结构还包括位于所述正电极与负电极之间的阻挡结构，所述阻挡结构为胶状绝缘材料制成。本发明专利技术还涉及一种该LED覆晶结构的制造方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构，尤其涉及一种LED覆晶结构及其制造方法。
技术介绍
目前的LED封装结构中，很多都采用覆晶结构固定LED芯片。在该LED覆晶结构中，LED芯片的电极和基板的电极之间通常使用焊料进行焊接，然而，所述焊料在焊接的过程中由于高温熔化，易产生溢流流入LED芯片的电极之间，从而造成短路等不良
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种防止焊料溢流的LED覆晶结构及其制造方法。一种LED覆晶结构，包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯片。所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极。所述LED芯片包括分别与电路层的第一电极与第二电极对应连接的正电极和负电极。所述正电极和负电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极和第二电极。所述LED覆晶结构还包括位于所述正电极与负电极之间的阻挡结构，所述阻挡结构为胶状绝缘材料制成。一种LED覆晶结构的制造方法，包括以下步骤 提供一基板，该基板上形成有电路层，所述电路层包括相互绝缘的两电极； 点胶，在电路层两电极之间滴加胶状绝缘材料，形成阻挡结构； 覆晶，将LED芯片上的两个电极分别通过焊料覆晶连接于所述电路层的两电极，形成LED覆晶结构。所述LED覆晶结构中，由于在所述电路层两电极之间形成了所述阻挡结构，并且所述阻挡结构为胶状绝缘材料，能够有效的阻挡焊料在焊接过程中熔化产生的溢流，避免因溢流而导致两电极短路等不良，同时，由于该阻挡结构为胶状绝缘材料，可根据需要产生形变，因此不会限制LED芯片设置的高度，方便生产制作及产品设计。附图说明图I是本专利技术一实施方式提供的LED覆晶结构的示意图。图2是本专利技术一实施方式提供的LED覆晶结构制造方法中在基板上滴加胶状绝缘材料后的不意图。主要元件符号说明 LED覆晶结构|10基板_11层Ti" 第一电极 TiT 第二电极 Hd芯片 —TF 正电极T^T负电极|l32~~阻挡结构 TTT"金属垫片 15第一焊料 161； 第二焊料 162 空间Il 8 如下具体实施方式将结合上述附图进ー步说明本专利技术。具体实施例方式以下将结合附图对本专利技术作进ー步的详细说明。请參阅图1，本专利技术实施方式提供的ー种LED覆晶结构10包括基板11、电路层12、LED芯片13及阻挡结构14。所述基板11用干支撑所述LED芯片13于其上。所述基板11呈平板状，其材料为娃晶片。所述电路层12形成于所述基板11的上表面，所述电路层12包括相互绝缘的第一电极121与第二电极122及分别形成于所述第一电极121与第二电极122上表面的金属垫片15。所述金属垫片15对应LED芯片13的电极设置，对LED芯片13起到定位及支撑的作用。具体实施时，所述第一电极121与第二电极122上也可以不形成该金属垫片15。所述LED芯片13通过覆晶方式固定于所述基板11的电路层12上。所述LED芯片13包括分别与电路层的第一电极121和第二电极122相对应的正电极131和负电极132。所述正电极131与负电极132分别通过第一焊料161和第二焊料162与所述电路层12的第一电极121和第二电极122。电连接。本实施例中，将所述LED芯片13固定于电路层12上时，所述第一焊料161和第二焊料162由于高温熔化，产生溢流，分别包覆所述金属垫片15,并将所述发光二极管芯片13的正电极131与负电极132分别通过金属垫片15与第一电极121和第二电极122连接。所述LED芯片13、电路层12及基板11共同围设形成一空间18。所述阻挡结构14形成于所述基板11上，并位于所述LED芯片13、电路层12及基板11围设形成的空间18内。所述阻挡结构14为胶状的绝缘材料制成，当选择不同的胶状的绝缘材料形成该阻挡结构14于基板上时，只要是具有一定黏度而使得阻挡结构14可保持特定的形状，而当受到外力挤压时，具有较好的形变能力且不会流散开的电性绝缘的材料均可。在本实施例中，所述阻挡结构14为胶状高分子聚合物，如聚丙烯酸钠、聚丙烯酰胺、卡拉胶、明胶等。该阻挡结构14位于第一焊料161和第二焊料162之间，其相对两侧分别与第一焊料161和第二焊料162连接。由于该阻挡结构14是由胶状高分子聚合物材料制成，因而在受到外力的作用下具有较好的形变能力。本实施例中，于安装LED芯片13之前，该阻挡结构14的初始状态由于内聚力作用而呈半球状，该阻挡结构14的顶端稍微高于所述第一焊料161和第二焊料162的上表面；当安装所述LED芯片13于该阻挡结构14上后，阻挡结构14的形状由于该LED芯片13的重力作用下被挤压变形直至其顶端大致与第ー焊料161和第二焊料162的上表面平齐，此时，该阻挡结构14处于变形状态而大致呈椭圆形，该阻挡结构14于变形状态的厚度小于其初始状态的厚度。因此，形成该LED覆晶结构10时，该阻挡结构14初始状态的厚度不会对LED芯片13的设置高度产生影响。本专利技术实施方式提供了ー种LED覆晶结构10的制造方法，包括以下步骤提供一基板11，该基板11上形成有电路层12，所述电路层12包括相互绝缘的第一电极121和第二电极122。所述基板11呈平板状，其材料为硅基片。在所述电路层12的第一电极121和第二电极122表面还分别形成有金属垫片15,所述金属垫片15对应LED芯片13的正电极131和负电极132设置。请參阅图2，在电路层12的第一电极121和第二电极122之间滴加胶状绝缘材料，形成阻挡结构14。所述胶状绝缘材料为胶状高分子聚合物，如聚丙烯酸钠、聚丙烯酰胺、卡拉胶、明胶等。该阻挡结构14的底端与基板11连接，其顶端稍微高于所述金属垫片15及用于焊接的所述第一焊料161和第二焊料162的上表面。将LED芯片13上的正电极131和负电极132分别通过第一焊料161和第二焊料162覆晶连接于所述电路层12的第一电极121和第二电极122，形成LED覆晶结构10。当连接LED芯片13的电极与电路层12的电极时，所述第一焊料161和第二焊料162因为高温溶化而容易产生溢流，而由于所述阻挡结构14位于电极之间，可对所述第一焊料161和 第二焊料162溢流的路径形成阻挡，从而防止溢流而将LED芯片13之间连接形成短路；且由于所述阻挡结构14为胶状绝缘材料，因此在安装所述LED芯片13时，所述阻挡结构14的形状可受到该LED芯片13重力的挤压而变形，因此该阻挡结构14初始状态时的厚度不会对LED芯片13的设置高度产生影响。本实施方式揭露的所述LED覆晶结构中，由于在所述电路层两电极之间形成了所述阻挡结构，并且所述阻挡结构为胶状绝缘材料，能够有效的阻挡焊料在焊接过程中熔化产生的溢流而导致两电极短路等不良，同吋，由于该阻挡结构为胶状绝缘材料，可根据需要产生形变，因此不会限制LED芯片设置的高度，方便生产制作及产品设计。可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本专利技术的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本专利技术权利要求的保护范围。权利要求1.一种LED覆晶结构，包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯片，所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极，所述LED芯片包括正电极和负电极，所述正电极和负电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED覆晶结构，包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯片，所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极，所述LED芯片包括正电极和负电极，所述正电极和负电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极和第二电极，其特征在于，还包括位于所述正电极与负电极之间的阻挡结构，所述阻挡结构由胶状绝缘材料制成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈佳辉，洪梓健，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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