【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构，尤其涉及一种LED覆晶结构及其制造方法。
技术介绍
目前的LED封装结构中，很多都采用覆晶结构固定LED芯片。在该LED覆晶结构中，LED芯片的电极和基板的电极之间通常使用焊料进行焊接，然而，所述焊料在焊接的过程中由于高温熔化，易产生溢流流入LED芯片的电极之间，从而造成短路等不良
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种防止焊料溢流的LED覆晶结构及其制造方法。一种LED覆晶结构，包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯片。所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极。所述LED芯片包括分别与电路层的第一电极与第二电极对应连接的正电极和负电极。所述正电极和负电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极和第二电极。所述LED覆晶结构还包括位于所述正电极与负电极之间的阻挡结构，所述阻挡结构为胶状绝缘材料制成。一种LED覆晶结构的制造方法，包括以下步骤 提供一基板，该基板上形成有电路层，所述电路层包括相互绝缘的两电极； 点胶，在电路层两电极之间滴加胶状绝缘材料，形成阻挡结构； 覆晶，将LED芯片上的两个电极分别通过焊料覆晶连接于所...
【技术保护点】
一种LED覆晶结构，包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯片，所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极，所述LED芯片包括正电极和负电极，所述正电极和负电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极和第二电极，其特征在于，还包括位于所述正电极与负电极之间的阻挡结构，所述阻挡结构由胶状绝缘材料制成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈佳辉，洪梓健，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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