一种发光二极管封装结构，包括基板、形成于基板上的电极及固定于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片，所述基板包括相互叠置的第一基板与第二基板，所述电极位于第一基板与第二基板之间，所述第一基板和第二基板均由透明材料制成，所述基板的其中一外表面为出光面，一反射层形成于该基板除出光面之外的其它外表面上，该发光二极管芯片发出的光线中一部分光线直接从出光面射出，另一部分光线穿透基板经反射层反射后从出光面射出。本发明专利技术还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构，尤其涉及ー种。
技术介绍
相比于传统的发光源,发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为ー种新型的发光源，已经被越来越广泛地应用。现有的发光二极管封装结构一般包括基板、形成于基板上的电极以及装设于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片。该基板上形成可收容该发光二极管芯片在内的收容空间，为了增强发光二极管封装结构的发光效率，业界通常在该收容空间的内表面形成ー环绕该发光二极管芯片的反射层，从而使得发光二极管芯片发出的光线可直接从该收容空间的顶端的开ロ或者经过反射层反射后从收容空间顶端的开ロ射出，以达到汇聚光线并 増加出射光均匀效果的作用。然而这种发光二极管封装结构中由于反射层仅铺设于收容空间内，而电路板上并不能反射光线从而使反射效果不佳，使得该发光二极管封装结构最終出射的光线不均匀，而且在该收容空间的内表面形成反射层的制程繁琐并具有一定的难度。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种出射光均匀、且制程简单的。—种发光二极管封装结构，包括基板、形成于基板上的电极及固定于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片，所述基板包括相互叠置的第一基板与第二基板，所述电 极位于第一基板与第二基板之间，所述第一基板和第二基板均由透明材料制成，所述基板的其中一外表面为出光面，一反射层形成于该基板除出光面之外的其它外表面上，该发光ニ极管芯片发出的光线中一部分光线直接从出光面射出，另一部分光线穿透基板经反射层反射后从出光面射出。ー种发光二极管封装结构制造方法，包括以下步骤 提供两透明的载板，姆ー载板于靠近另ー载板的一端向外延伸形成凸出部； 于其中一个载板的凸出部的表面上形成电极； 将两载板相互叠置而形成基板，并使得电极夹设于两载板的凸出部之间，电极的末端凸伸出凸出部； 于另ー载板上形成通孔； 将发光二极管芯片固定于通孔内并与电极电性连接；该基板的其中一外表面为出光面，并于该基板除出光面之外的其它外表面上形成反射层。采用透明玻璃作为第一基板和第二基板，并在该透明玻璃的外围覆盖反射层，使发光二极管芯片发出的光线均能被反射层反射朝出光面出射，使出光面出射的光线更多，而且这些光线相互汇聚，増大光強。还因为反射的范围很大从而使出光更加均匀。不但结构简单，制作过程也方便。下面參照附图，结合具体实施例对本专利技术作进ー步的描述。附图说明图I为本专利技术第一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。图2为图I中的发光二极管封装结构的俯视示意图。图3为本专利技术第二实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。图4至图7为本专利技术ー实施例的发光二极管封装结构的制造过程中各步骤所得的发光二极管封装结构的剖面示意图。图8为本专利技术ー实施例的发光二极管封装结构的制造方法流程图。主要元件符号说明权利要求1.ー种发光二极管封装结构，包括基板、形成于基板上的电极及固定于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片，其特征在干所述基板包括相互叠置的第一基板与第二基板，所述电极位于第一基板与第二基板之间，所述第一基板和第二基板均由透明材料制成，所述基板的其中一外表面为出光面，一反射层形成于该基板除出光面之外的其它外表面上，该发光二极管芯片发出的光线中一部分光线直接从出光面射出，另一部分光线穿透基板经反射层反射后从出光面射出。2.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述电极至少为两个并相互间隔设置，所述电极的末端分别凸伸出于该基板的相对两侧面。3.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第一基板靠近第二基板的一端向外延伸形成凸出部，所述第二基板靠近第一基板的一端向外延伸形成有延伸部，该延伸部与凸出部相对应，所述电极夹设于该凸出部和延伸部之间并向外延伸，且电极的末端凸伸出该凸出部和延伸部。4.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述发光二极管芯片的数量为多个，该第二基板上形成若干通孔，所述通孔分别收容ー对应的发光二极管芯片在内，每一通孔内形成用于封装所述发光二极管芯片的封装层。5.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述发光二极管芯片的数量为多个，该第二基板上形成一通孔，该通孔收容所述发光二极管芯片在内，且通孔内形成用于封装所述发光二极管芯片的封装层。6.如权利要求4或5所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述封装层的外表面上形成有突光层。7.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于该电极采用不透明的导电材料制成，该电极的宽度小于发光二极管芯片的宽度。8.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于该电极采用透明的导电材料制成。9.ー种发光二极管封装结构制造方法，包括以下步骤 提供两透明的载板，姆ー载板于靠近另ー载板的一端向外延伸形成凸出部； 于其中一个载板的凸出部的表面上形成电极； 将两载板相互叠置而形成基板，并使得电极夹设于两载板的凸出部之间，电极的末端凸伸出凸出部； 于另ー载板上形成通孔； 将发光二极管芯片固定于通孔内并与电极电性连接； 该基板的其中一外表面为出光面，并于该基板除出光面之外的其它外表面上形成反射层。10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构制造方法，其特征在于于该通孔内形成封装层。全文摘要一种发光二极管封装结构，包括基板、形成于基板上的电极及固定于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片，所述基板包括相互叠置的第一基板与第二基板，所述电极位于第一基板与第二基板之间，所述第一基板和第二基板均由透明材料制成，所述基板的其中一外表面为出光面，一反射层形成于该基板除出光面之外的其它外表面上，该发光二极管芯片发出的光线中一部分光线直接从出光面射出，另一部分光线穿透基板经反射层反射后从出光面射出。本专利技术还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。文档编号H01L25/13GK102842667SQ20111017311公开日2012年12月26日 申请日期2011年6月24日 优先权日2011年6月24日专利技术者胡必强, 许时渊 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，包括基板、形成于基板上的电极及固定于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片，其特征在于：所述基板包括相互叠置的第一基板与第二基板，所述电极位于第一基板与第二基板之间，所述第一基板和第二基板均由透明材料制成，所述基板的其中一外表面为出光面，一反射层形成于该基板除出光面之外的其它外表面上，该发光二极管芯片发出的光线中一部分光线直接从出光面射出，另一部分光线穿透基板经反射层反射后从出光面射出。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡必强，许时渊，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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