LED结构制造技术

发光二极管（LED）结构，即，LED结构，包括第一掺杂剂区、位于该第一掺杂剂区顶部上的介电层、位于该介电层第一部分的顶部上的接合焊盘层以及具有第一LED区和第二LED区的LED层。接合焊盘层电连接至第一掺杂剂区。第一LED区电连接至接合焊盘层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管(LED)结构。
技术介绍
在某些方法中，高电压发光二极管(LED)解决方案包括安装在印刷电路板(PCB)上的分立LED和齐纳二极管(Zener diode)。然而，整个电路占用了 PCB空间。在PCB上集成LED和齐纳二极管还构成了挑战。在其他某些方法中，使用高电压多P-N结LED管芯。本文中，将齐纳二极管与电路板上的LED管芯安装在一起。然而，齐纳二极管保护了管芯和/或封装芯片，但没有保护管芯上的PN结。在LED的制造期间或带有LED的电路的组装期间，由于静电放电(ESD)，结可能受到损伤，并因此导致LED管芯可能受到损伤。另外，因为LED在高电压下运行，结还可 能由于击穿电压较高而受到损伤。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种发光二极管(LED)结构，包括第一掺杂剂区；介电层，位于所述第一掺杂剂区的顶部上；接合焊盘层，位于所述介电层的第一部分的顶部上，所述接合焊盘层电连接至所述第一掺杂剂区；以及LED层，具有第一 LED区和第二 LED区，所述第一 LED区与所述接合焊盘层电连接。在该结构中，所述第一掺杂剂区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管（LED）结构，包括：第一掺杂剂区；介电层，位于所述第一掺杂剂区的顶部上；接合焊盘层，位于所述介电层的第一部分的顶部上，所述接合焊盘层电连接至所述第一掺杂剂区；以及LED层，具有第一LED区和第二LED区，所述第一LED区与所述接合焊盘层电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：夏守礼，余致广，傅文键，郭鸿毅，高弘昭，吴铭峰，杨富智，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：