一种发光二极管芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，用以解决现有技术中存在的发光二极管芯片发光效率低的问题。上述发光二极管芯片包括：基底；PN结，其位于基底的一侧并包括P型半导体层和N型半导体层；P型电极、N型电极和电流扩散层，该P型电极、N型电极和电流扩散层位于上述PN结上；还包括：反射层，位于上述基底的另一侧；光栅，位于上述电流扩散层靠近PN结的一侧。采用本发明专利技术技术方案，制作工艺简单，通过改变发光二极管芯片内部光线的方向有效提高了发光二极管芯片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管芯片制作领域，尤其涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。
技术介绍
LED (Light Emitting Diode,发光二极管)芯片是一种固态的半导体器件,它可以直接将电能转化为光能。参阅图I所示为现有技术中的发光二极管芯片结构图。在发光二极管芯片中，最下层为蓝宝石基底6，在蓝宝石基底6的反射层中，可以将发光层发射的光线进行反射；基底6上层为N型GaN层5和P型GaN层2构成的PN结7，该PN7结即为发光层，当发光二极管芯片通电时，N型GaN层5和P型GaN层2中的电子和空穴进行迁移，使得发光二极管芯片发光；发光二极管芯片的最上层为电流扩散层3，用于降低串联电阻，使发光二极管芯片中的电流扩散；发光二极管芯片上还包含P型电极I和N型电极4，整个芯片采用环氧树脂或者硅树脂材料封装。在制作发光二极管芯片的过程中，采用AlGaInP LED系化合物半导体，其折射率为3. 5，密封发光二极管芯片的环氧树脂或者环氧树脂材料的折射率为I. Π. 5。由于发光二极管芯片材料与封装材料之间的折射率相差较大，当发光二极管芯片内部的光线射出发光二极管芯片时，容易发生全反射现象，即在发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片，包括：基底；PN结，其位于基底的一侧并包括P型半导体层和N型半导体层；P型电极、N型电极和电流扩散层，所述P型电极、N型电极和电流扩散层位于所述PN结上；其特征在于，还包括：反射层，位于所述基底的另一侧；光栅，位于所述电流扩散层靠近PN结的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，包括 基底； PN结，其位于基底的一侧并包括P型半导体层和N型半导体层； P型电极、N型电极和电流扩散层，所述P型电极、N型电极和电流扩散层位于所述PN结上； 其特征在于，还包括 反射层，位于所述基底的另一侧； 光栅，位于所述电流扩散层靠近PN结的一侧。2.如权利要求I所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括光线方向改变部件，所述光线方向改变部件位于所述电流扩散层的侧面。3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述光线方向改变部件包括 经过粗糙化处理的部件；或者，光栅；或者，光子晶体。4.如权利要求I所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述反射层为金属层。5.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述金属层上设有多个曲率半径为微米级的凹面镜或凸面镜。6.如权利要求I所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述光栅采用金属制作，所述光栅的光栅常数为10纳米 19纳米。7.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：马若玉，张元波，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：