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本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，用以解决现有技术中存在的发光二极管芯片发光效率低的问题。上述发光二极管芯片包括：基底；PN结，其位于基底的一侧并包括P型半导体层和N型半导体层；P型电极、N型电极和电流扩散层，该P型电极、N型电极...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。

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