一种采用蓝宝石衬底的发光二极管制造技术

技术编号:8242085 阅读:140 留言:0更新日期:2013-01-24 23:04
本发明专利技术适用于发光二极管技术领域,提供了一种采用蓝宝石衬底的发光二极管,所述采用蓝宝石衬底的发光二极管设有一蓝宝石衬底,所述蓝宝石衬底上表面设有LED芯片,所述LED芯片具体包括n型GaN层、发光层和p型GaN层,所述n型GaN层引出n电极,在p电极上形成接触电极,所述蓝宝石衬底下表面设有金属反光层,所述金属反光层下面设有固晶材料层,所述固定材料层设置在一固定支架上。本发明专利技术在蓝宝石衬底下表面设有金属反光层,同时配合使用良好导热特性的固晶材料,出光效率高,而且性能可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于发光二极管
,尤其涉及一种采用蓝宝石衬底的发光二极管
技术介绍
发光二极管的品质主要有两个方面的要素,一是LED的亮度,二是LED等使用可靠性。以蓝宝石为衬底的LED,主要是蓝光、绿光以及加荧光粉后的白光LED,其封装固晶材料有两种,一种是透明的绝缘胶,二是采用银胶,其中,前者可以提供更高的取光效率,因为往透明衬底方向传播的光在到达芯片背后可以进一步地的透过透明的绝缘胶,然后在 金属支架上反射回来;反过来,如果采用银胶相当部分的光被吸收,减小了芯片的亮度,但是其散热效果较好。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种采用蓝宝石衬底的发光二极管,旨在解决现有技术提供的封装固晶材料都存在缺陷的问题。本专利技术是这样实现的,一种采用蓝宝石衬底的发光二极管,所述采用蓝宝石衬底的发光二极管设有一蓝宝石衬底,所述蓝宝石衬底上表面设有LED芯片,所述LED芯片具体包括η型GaN层、发光层和ρ型GaN层,所述η型GaN层引出η电极,在ρ电极上形成接触电极,所述蓝宝石衬底下表面设有金属反光层,所述金属反光层下面设有固晶材料层,所述固定材料层设置在一固定支架上。作为一种改进的方案,所述固晶材料银胶或焊料。本专利技术在蓝宝石衬底下表面设有金属反光层,同时配合使用良好导热特性的固晶材料,出光效率高,而且性能可靠。附图说明 图I是本专利技术提供的采用蓝宝石衬底的发光二极管的结构示意图。具体实施例方式 为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。图I示出了本专利技术提供的采用蓝宝石衬底的发光二极管的结构示意图,为了便于说明,图中仅给出了与本专利技术相关的部分。本专利技术提供的采用蓝宝石衬底的发光二极管设有一蓝宝石衬底1,所述蓝宝石衬底上表面设有LED芯片2,所述LED芯片2具体包括η型GaN层21、发光层22和ρ型GaN层23,所述η型GaN层21引出η电极24,在ρ电极上形成接触电极25,所述蓝宝石衬底I下表面设有金属反光层3,所述金属反光层3下面设有固晶材料层4,所述固定材料层4设置在一固定支架5上。在该实施例中,所述固晶材料银胶或焊料。本专利技术在蓝宝石衬底下表面设有金属反光层,同时配合使用良好导热特性的固晶材料,出光效率高,而且性能可靠。 以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种采用蓝宝石衬底的发光二极管,其特征在于,所述采用蓝宝石衬底的发光二极管设有一蓝宝石衬底,所述蓝宝石衬底上表面设有LED芯片,所述LED芯片具体包括η型GaN层、发光层和P型GaN层,所述η型GaN层引出η电极,在ρ电极上形成接触电极,所述蓝宝石衬底下表面设有金属反光层,所述金属反光层下面设有固晶材料层,所述固定材料层设置在一固定支架上。2.根据权利要求I所述的采用蓝宝石衬底的发光二极管,其特征在于,所述固晶材料银胶或焊料。全文摘要本专利技术适用于发光二极管
,提供了一种采用蓝宝石衬底的发光二极管,所述采用蓝宝石衬底的发光二极管设有一蓝宝石衬底,所述蓝宝石衬底上表面设有LED芯片,所述LED芯片具体包括n型GaN层、发光层和p型GaN层,所述n型GaN层引出n电极,在p电极上形成接触电极,所述蓝宝石衬底下表面设有金属反光层,所述金属反光层下面设有固晶材料层,所述固定材料层设置在一固定支架上。本专利技术在蓝宝石衬底下表面设有金属反光层,同时配合使用良好导热特性的固晶材料,出光效率高,而且性能可靠。文档编号H01L33/64GK102891234SQ201210345090公开日2013年1月23日 申请日期2012年9月18日 优先权日2012年9月18日专利技术者徐广忠 申请人:泰州普吉光电股份有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种采用蓝宝石衬底的发光二极管,其特征在于,所述采用蓝宝石衬底的发光二极管设有一蓝宝石衬底,所述蓝宝石衬底上表面设有LED芯片,所述LED芯片具体包括n型GaN层、发光层和p型GaN层,所述n型GaN层引出n电极,在p电极上形成接触电极,所述蓝宝石衬底下表面设有金属反光层,所述金属反光层下面设有固晶材料层,所述固定材料层设置在一固定支架上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐广忠
申请(专利权)人:泰州普吉光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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