一种发光二极管基板制造技术

本实用新型专利技术适用于光电技术领域，提供了一种发光二极管基板，所述发光二极管基板包括一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，所述P型层上设有接触层，所述接触层上设有金属层，所述金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。本实用新型专利技术结构简单，使用该发光二极管基板的LED，散热效果好，保证了LED的使用寿命。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于光电
，尤其涉及一种发光二极管基板。
技术介绍
以蓝宝石为衬底的发光二极管LED，主要是蓝光、绿光以及加荧光粉后的白光LED。目前，发光二极管LED的取光效率较低，大部分能量都转换为热量，为了保证LED 的寿命，一般要求散热效果较好的结构，但是，蓝宝石和GaN材料的散热效果较差，如果LED芯片的热量散不出去，则会加速芯片的老化，芯片失效。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种发光二极管基板，旨在解决现有技术中蓝宝石和GaN材料的散热效果较差，如果LED芯片的热量散不出去，则会加速芯片的老化，芯片失效的问题。本技术是这样实现的，一种发光二极管基板，所述发光二极管基板包括一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，所述P型层上设有接触层，所述接触层上设有金属层，所述金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。本技术结构简单，使用该发光二极管基板的LED，散热效果好，保证了 LED的使用寿命。附图说明图I是本技术提供的发光二极管基板的结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本技术。图I示出了本技术提供的发光二极管基板的结构示意图，为了便于说明，图中仅给出了与本技术相关的部分。本技术提供的发光二极管基板包括一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底1，所述单晶衬底I的抛光面上设有一层生长氧化层2，所述生长氧化层2上设有若干个用以形成P型层3的扩散窗口，所述P型层3上设有接触层4，所述接触层4上设有金属层5，所述金属层5连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极6。为了便于理解，下述给出本技术提供的发光二极管基板的制作工艺I.选择单晶硅片作为单晶衬底；2.用热生长的方法在所述单晶衬底的抛光面上形成生长氧化层；3.用光刻腐蚀出扩散窗口 ；4.用半导体扩散工艺形成P型层结构； 5.在P型层上通过蒸发形成接触层；6.在所述接触层焊接形成金属层。本技术结构简单，使用该发光二极管基板的LED，散热效果好，保证了 LED的使用寿命。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。·权利要求1.一种发光二极管基板，其特征在于，所述发光二极管基板包括一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，所述P型层上设有接触层，所述接触层上设有金属层，所述金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。·专利摘要本技术适用于光电
，提供了一种发光二极管基板，所述发光二极管基板包括一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，所述P型层上设有接触层，所述接触层上设有金属层，所述金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。本技术结构简单，使用该发光二极管基板的LED，散热效果好，保证了LED的使用寿命。文档编号H01L33/64GK202772184SQ20122047527公开日2013年3月6日 申请日期2012年9月18日 优先权日2012年9月18日专利技术者徐广忠 申请人:泰州普吉光电股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管基板，其特征在于，所述发光二极管基板包括一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，所述P型层上设有接触层，所述接触层上设有金属层，所述金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐广忠，
申请(专利权)人：泰州普吉光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：