一种蓝绿发光二极管芯片制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管
，尤其是指一种蓝绿发光二极管芯片。
技术介绍
发光二极管由于其低功耗、尺寸小和可靠性高而作为主要的光源得到迅猛的发展。特别近十年来发光二极管的利用领域正在迅速的扩展。提高亮度和降低发光二极管的成本成为LED领域发展的目标。现有技术中，蓝绿发光二极管芯片包括P区、η区及有源区，有源区设置在P区与η区之间，在P区的导电层上设置P电极。η区包括在衬底上设置非故意掺杂层，在非故意掺杂层上设置η型导电层，该η型导电层上设置有源区。在传统的制作蓝绿发光二极管芯片技术，ICP蚀刻至η型导电层，在η型导电层上蒸镀金属制做η型电极。即采用单层η型导电层与η电极接触，且η电极与η型导电层之间为平面接触，而没有采用阶梯式的多接触面的接触方式。其缺陷在于: 一，单层η型导电层与η电极接触，使得η型导电层的厚度较厚，延长外延生产时间，降低生产效率。二，单层η型导电层与η电极接触，无法通过外延材料或掺杂的变化而与η电极的欧姆接触渐变式变化，使得电流扩展效果较差，二极管的发光效率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种蓝绿发光二极管芯片，以...
【技术保护点】
一种蓝绿发光二极管芯片，其特征在于：包括p区、n区及有源区，有源区设置在p区与n区之间，在p区的导电层上设置p电极；n区外延结构采用由n型接触层与电流阻挡层交替构成的多级复合接触层，在多级复合接触层上设置多个接触面的n电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，陈凯轩，张永，姜伟，卓祥景，方天足，陈亮，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。