LED芯片封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片封装结构及其封装方法，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及N电极和P电极，所述LED芯片上预设有用于进行MESA光刻的MESA线，所述P型半导体层、发光层及部分N型半导体层沿MESA线刻蚀形成有N台阶，所述N台阶上设有支撑平台，所述N电极包裹所述支撑平台并与N型半导体层电性连接，所述N电极的上边缘与MESA线之间的距离大于N电极的下边缘与MESA线之间的距离，所述N电极上通过焊球与焊接线电性连接。本发明专利技术通过在N台阶上设置支撑平台，N电极设于支撑平台的上方和侧边，支撑平台能够有效释放焊球在N电极上表面的表面应力，减小了焊接时N电极的变形，有效提高了LED器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件
，尤其涉及一种LED芯片封装结构及其封装方法。
技术介绍
发光二极管(Light-Emitting D1de，LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。LED芯片封装结构目前分成正装、倒装、垂直三种封装结构，目前正装封装结构是最使用最多的。正装封装结构的LED芯片在封装制程里需使用打线(wire bonding)工艺，鉴于正装封装结构的LED芯片P电极和N电极同侧的特殊性，要求打线过程中焊球和电极结合的面积不要超出芯片制程的预设的MESA线。随着LED技术的发展，LED芯片N电极和P电极的面积变得越来越小，打线使用的材料由金线变成了合金线；导致现有打线制程会出现如图1所示的问题:焊球和N电极结合过程中N电极变形严重，会对LED芯片的稳定性造成影响，当N电极变形部分超出MESA线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片封装结构，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及N电极和P电极，其特征在于，所述LED芯片上预设有用于进行MESA光刻的MESA线，所述P型半导体层、发光层及部分N型半导体层沿MESA线刻蚀形成有N台阶，所述N台阶上设有支撑平台，所述N电极包裹所述支撑平台并与N型半导体层电性连接，所述N电极的上边缘与MESA线之间的距离大于N电极的下边缘与MESA线之间的距离，所述N电极上通过焊球与焊接线电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆，
申请(专利权)人：聚灿光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32