发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种发光器件。公开了一种发光器件，包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构，与第一导电半导体层电连接的第一电极，发光结构下的镜层，镜层和发光结构之间的窗口半导体层，镜层下的反射层，位于反射层和窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层，以及反射层下的导电支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有较高掺杂浓度的C掺杂的P基半导体。导电接触层包括与具有比窗口半导体层的厚度薄的厚度的镜层的材料不同的材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光器件、发光器件封装和照明单元。
技术介绍
发光二极管（LED)已经广泛用作一种发光器件。LED由于化合物半导体的特性，转 换以红外光、可见光或紫外光形式的电信号。 随着发光器件的光效率增加，发光器件已经应用于各种领域，诸如显示设备和照 明设备。
技术实现思路
实施例提供一种能降低工作电压并且提高光速的发光器件、发光器件封装和照明 单元。 实施例提供能提高光速并且确保可靠性的发光器件、发光器件封装和照明单元。 实施例提供具有掺杂有碳（C)的磷化镓（GaP)基半导体的发光器件。 实施例提供能减少与掺杂有碳（C)的GaP基半导体接触的导电接触层中的光吸收 的发光器件。 实施例提供能增加与掺杂有碳（C)的GaP基半导体接触的导电接触层的电流接触 面积的发光器件。 实施例提供能通过在掺杂有C的GaP基半导体下提供的分布布拉格反射器（DBR) 层下，提供全向反射器（0DR)，提高光反射效率的发光器件。 实施例提供能通过与掺杂有c的GaP基半导体的底表面接触的导电接触层，提高 电流扩展的发光器件。 实施例提供能提高光提取效率的发光器件、发光器件封装和照明单元。 根据实施例，提供一种发光器件，包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体层 下的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构，发光结构下的窗口半导体层，窗 口半导体层下的镜层，镜层下的反射层，布置在反射层下并且位于反射层的外围部并且具 有与镜层接触的顶表面的接合层并且接合层下的支撑衬底。 根据实施例，提供发光器件，包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体层下的 有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构，与第一导电半导体层电连接的第一电 极，发光结构下的镜层，镜层和发光结构之间的窗口半导体层，镜层下的反射层、布置在反 射层和窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层，以及反射层下、具 有导电特性的支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有碳（C)的磷（P)基半导体，窗口半导体 层具有高于第二导电半导体层的掺杂浓度的掺杂浓度，以及导电接触层包括不同于镜层的 材料的材料，并且具有薄于窗口半导体层的厚度的厚度。 根据该实施例，提供一种发光器件，包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下 的有源层和有源层下的第二导电半导体层、第一导电半导体层上的第一电极、第一电极上 的电极焊盘、发光结构下的镜层、镜层和发光结构之间的窗口半导体层、镜层下的反射层、 布置在反射层和窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层以及布置 在反射层下并且具有导电特性的支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有碳（C)的磷（P)基半 导体，并且具有高于第二导电半导体层的掺杂浓度的掺杂浓度，导电接触层包括不同于镜 层的材料的材料，并且包括相互分开的多个接触部，并且与电极焊盘和导电接触层之间的 距离成比例地增加导电接触层和电极焊盘之间的接触面积。 根据该实施例，提供一种发光器件，包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下 的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构、发光结构下的窗口半导体层、布置 在窗口半导体层下并且与第二导电半导体层电连接的导电接触层，以及布置在发光结构上 并且与第一导电半导体层电连接的第一电极。导电接触层包括相互分开、以多个点的形式 布置，并且与窗口半导体层欧姆接触的多个欧姆接触区。欧姆接触区的整个面积在窗口半 导体层的整个面积的〇. 5%至1. 5%的范围中。 根据该实施例，提供一种发光器件，包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体 层下的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构、与第一导电半导体层电连接的 第一电极、发光结构下的镜层、镜层和发光结构之间的窗口半导体层、镜层下的反射层，布 置在反射层和镜层之间的低折射率层，以及反射层下、具有导电特性的支撑衬底。窗口半导 体层包括掺杂有碳（C)的磷（P)基半导体，低折射率层包括不同于镜层的材料的材料，并且 具有低于窗口半导体层的折射率的折射率，以及镜层具有包括具有相互不同折射率的两个 介电层的DBR层结构，以及低折射率层和反射层具有0DR结构。 根据该实施例，提供一种包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层 和有源层下的第二导电半导体层的发光结构、与第一导电半导体层电连接的第一电极、发 光结构下的镜层、镜层和发光结构之间的窗口半导体层、镜层下的反射层、布置在反射层和 窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层以及反射层下、具有导电特 性的支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有碳（C)的磷（P)基半导体，具有高于第二导电半 导体层的掺杂浓度的掺杂浓度，并且具有厚于导电接触层的厚度的厚度。导电接触层包括 不同于镜层的材料的材料。 根据实施例，提供一种包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层和 有源层下的第二导电半导体层的发光结构、与第一导电半导体层电连接的第一电极、发光 结构下的镜层、镜层和发光结构之间的窗口半导体层、镜层下的反射层、布置在反射层和窗 口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层，以及反射层下、具有导电特 性的支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有碳（C)的磷（P)基半导体，以及导电接触层包括 不同于镜层的材料的材料。导电接触层包括分别具有在垂直方向上与发光结构重叠的顶表 面的整个部分的多个第一接触部，和具有从发光结构的侧壁向外提供的顶表面的一部分的 多个第二接触部。【附图说明】 图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图。 图2是沿图1的线A-A截取的截面图。 图3是示出图1的发光器件的第一电极和电极图案的例子的视图。 图4是示出图1中所示的发光器件的另一例子的截面图。 图5是示出根据第二实施例的发光器件的截面图。 图6是示出图5的发光器件中的反射层和导电接触层的截面图。 图7是示出图5的发光器件的另一例子的截面图。 图8是示出图5的发光器件的另一例子的截面图。 图9是示出作为施加到图1的发光器件的导电接触层的厚度的函数的透光率的 图。 图10是示出作为施加到图1的发光器件的导电接触层的厚度的函数的光量的图。 图11是示出根据比较例子，p型GaP层中的载流子浓度的视图。 图12是示出根据第三实施例的发光器件的视图。 图13是沿图12的发光器件的线B-B截取的截面图。 图14是示出图13的发光器件的第一电极和电极图案的视图。 图15是示出图12的发光器件的另一例子的截面图。 图16是示出在根据该实施例的镜层的区域中提供的导电接触层的一个例子的视 图。 图17是示出在根据该实施例的镜层的区域中提供的导电接触层的另一例子的视 图。 图18是示出根据第四实施例的发光器件的视图。 图19是示出应用于图18的发光器件的第一电极和欧姆接触区的配置例子的平面 图。 图20是示出作为图18的发光器件中的欧姆接触区的变化的函数的光速的变化的 视图。 图21是示出作为图18的发光器件中的欧姆接触区的变化的函数的工作电压的变 化的图的图。 图22至25是示出制作图18的发光器件的方法的截面图。 图26是示出根据第五实施例的发光器件的截面图。 图27至30是示出制作图26的发光器件的方法的截面图。 图31是示出根据该实施例的发光器件封装的截面图。 图32是示出根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、所述第一导电半导体层下的有源层和所述有源层下的第二导电半导体层；与所述第一导电半导体层电连接的第一电极；所述发光结构下的镜层；所述镜层和所述发光结构之间的窗口半导体层；所述镜层下的反射层；导电接触层，所述导电接触层布置在所述反射层和所述窗口半导体层之间并且与所述第二导电半导体层接触；以及支撑衬底，所述支撑衬底在所述反射层下、具有导电特性，其中，所述窗口半导体层包括掺杂有碳(C)的磷(P)基半导体并且具有高于所述第二导电半导体层的掺杂浓度的掺杂浓度，以及所述导电接触层包括不同于所述镜层的材料的材料，并且具有薄于所述窗口半导体层的厚度的厚度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：文智炯，李尚烈，朴范斗，金青松，朴相绿，郑炳学，李泰庸，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR