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本发明公开了一种具有局部掺杂p型限制结构的氮化物发光二极管，包括由氮化物半导体形成的n型层、活性层和p型层，在p型层与活性层之间还设置有p型限制结构，其特征在于：所述p型限制结构为多层结构，其与活性层接触的端部为氮化铝铟镓材料层，所述氮化铝...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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