【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种LED芯片结构，尤其是一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，属于LED芯片
技术介绍
发光二极管(LED)芯片可靠性与电流扩展关系密切，而P型GaN (氮化镓)的接触成为关键，由于P型GaN很难做到良好的导电性，故在此基础上普遍采用透明导电层的方式来实现电流扩展，本身电极位置的设置，在电极与电极之间会形成明显的电流阻塞区域，从而影响LED器件本身的出光和可靠性及寿命。而解决此问题大家普遍采用在电极下方制作一层钝化层的方式，但由于钝化层方案本身由于粘附等问题影响器件可靠性，另加工步骤繁琐不适合推广。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，该二极管芯片结构改善了电流的传输堵塞，结构简单紧凑，提高了 LED芯片的发光效率，与现有加工工艺相兼容，延长了 LED芯片使用寿命，安全可靠。按照本技术提供的技术方案，所述氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，包括衬底及位于衬底上方的P电极和N电极，衬底上淀积N型氮化镓层，N型氮化镓层覆盖于衬底上；在所述N型氮化镓层上设有量子阱，量子阱上设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上设有透明导电层，透明导电层覆盖于P型氮化镓层上，并与P型氮化镓层电连接；所述透明导电层上淀积有钝化层，钝化层覆盖于透明导电层上，并包覆透明导电层下方的P型氮化镓层与量子阱；在所述钝化层上设有接触孔，P电极填充于该接触孔内，P电极与透明导电层等电位连接；其特征是在所述P电极下方的P型氮化镓层上刻蚀形成P型蚀刻区，P型蚀刻区从P型氮化镓层的上表面向N型氮化镓层的方向延伸，P型蚀刻区在...
【技术保护点】
一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，包括衬底（1）及位于衬底（1）上方的P电极（5）和N电极（6），衬底（1）上淀积N型氮化镓层（2），N型氮化镓层（2）覆盖于衬底（1）上；在所述N型氮化镓层（2）上设有量子阱（3），量子阱（3）上设有P型氮化镓层（4），P型氮化镓层（4）上设有透明导电层（7），透明导电层（7）覆盖于P型氮化镓层（4）上，并与P型氮化镓层（4）电连接；所述透明导电层（7）上淀积有钝化层（8），钝化层（8）覆盖于透明导电层（7）上，并包覆透明导电层（7）下方的P型氮化镓层（4）与量子阱（3）；在所述钝化层（8）上设有接触孔，P电极（5）填充于该接触孔内，P电极（5）与透明导电层（7）等电位连接；其特征是：在所述P电极（5）下方的P型氮化镓层（4）上刻蚀形成P型蚀刻区（9），P型蚀刻区（9）从P型氮化镓层（4）的上表面向N型氮化镓层（2）的方向延伸，P型蚀刻区（9）在P型氮化镓层（4）内延伸的距离小于P型氮化镓层（4）的厚度；所述P电极（5）填充于P型蚀刻区（9）内，并与P型氮化镓层（4）等电位连接。
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，包括衬底(I)及位于衬底(I)上方的P电极(5)和N电极(6)，衬底(I)上淀积N型氮化镓层(2)，N型氮化镓层(2)覆盖于衬底(I)上；在所述N型氮化镓层(2 )上设有量子阱(3 )，量子阱(3 )上设有P型氮化镓层(4 )，P型氮化镓层(4)上设有透明导电层(7)，透明导电层(7)覆盖于P型氮化镓层(4)上，并与P型氮化镓层(4)电连接；所述透明导电层(7 )上淀积有钝化层(8 )，钝化层(8 )覆盖于透明导电层(7)上，并包覆透明导电层(7)下方的P型氮化镓层(4)与量子阱(3);在所述钝化层(8)上设有接触孔，P电极(5)填充于该接触孔内，P电极(5)与透明导电层(7)等电位连接；其特征是在所述P电极(5)下方的P型氮化镓层(4)上刻蚀形成P型蚀刻区(9)，P型蚀刻区(9)从P型氮化镓层(4)的上表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜高云，张淋，邓群雄，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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