【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种发光二极管芯片结构，属于LED芯片
技术介绍
发光二极管(LED)芯片由于特征尺寸变小，芯片也越来越小，但由于封装等因素制约电极尺寸变小遇到障碍，从而影响芯片亮度的提升。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种发光二极管芯片结构，提高了发光二极管芯片的发光效率，提高出光。按照本技术提供的技术方案，所述发光二极管芯片结构，包括衬底及位于衬底上方的P电极和N电极 ，衬底上淀积N型氮化镓层，N型氮化镓层覆盖于衬底上；在所述N型氮化镓层上设有量子阱，量子阱上设有P型氮化镓层；其特征是所述P型氮化镓层上设有第一反射层，所述N型氮化镓层的端部刻蚀形成台阶，在台阶上设有第二反射层；所述第一反射层和P型氮化镓层上设有透明导电层，透明导电层覆盖于P型氮化镓层上，并与P型氮化镓层电连接；在所述透明导电层上淀积钝化层，钝化层覆盖于透明导电层上，并包覆透明导电层下方的P型氮化镓层、N型氮化镓层和量子阱；在所述钝化层上设有第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔的底部与第一反射层相接触，第二接触孔的底部与第二反射层和N型氮化镓层相接触；所述P电极填充...
【技术保护点】
一种发光二极管芯片结构，包括衬底（1）及位于衬底（1）上方的P电极（5）和N电极（6），衬底（1）上淀积N型氮化镓层（2），N型氮化镓层（2）覆盖于衬底（1）上；在所述N型氮化镓层（2）上设有量子阱（3），量子阱（3）上设有P型氮化镓层（4）；其特征是：所述P型氮化镓层（4）上设有第一反射层（7），所述N型氮化镓层（2）的端部刻蚀形成台阶（11），在台阶（11）上设有第二反射层（8）；所述第一反射层（7）和P型氮化镓层（4）上设有透明导电层（9），透明导电层（9）覆盖于P型氮化镓层（4）上，并与P型氮化镓层（4）电连接；在所述透明导电层（9）上淀积钝化层（10），钝化层（1...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片结构，包括衬底(I)及位于衬底(I)上方的P电极(5)和N电极(6 )，衬底(I)上淀积N型氮化镓层(2 )，N型氮化镓层(2 )覆盖于衬底(I)上；在所述N型氮化镓层(2)上设有量子阱(3)，量子阱(3)上设有P型氮化镓层(4);其特征是所述P型氮化镓层(4)上设有第一反射层(7)，所述N型氮化镓层(2)的端部刻蚀形成台阶(11)，在台阶(11)上设有第二反射层(8);所述第一反射层(7)和P型氮化镓层(4)上设有透明导电层(9)，透明导电层(9)覆盖于P型氮化镓层(4)上，并与P型氮化镓层(4)电连接；在所述透明导电层(9)上淀积钝化层(10)，钝化层(10)覆盖于透明导电层(9)上，并包覆透明导电层(9)下方的P型氮化镓层(4)、N型氮化镓层(2)和量子阱(3);在所述钝化层(10)上设有第一接触孔(12)和第二接触孔(13)，第一接触孔(12)的底部与第一反射层(7)相...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜高云，张淋，邓群雄，许雪芳，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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