【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种发光二极管芯片结构,属于LED芯片
技术介绍
发光二极管(LED)芯片由于特征尺寸变小,芯片也越来越小,但由于封装等因素制约电极尺寸变小遇到障碍,从而影响芯片亮度的提升。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种发光二极管芯片结构,提高了发光二极管芯片的发光效率,提高出光。按照本技术提供的技术方案,所述发光二极管芯片结构,包括衬底及位于衬底上方的P电极和N电极 ,衬底上淀积N型氮化镓层,N型氮化镓层覆盖于衬底上;在所述N型氮化镓层上设有量子阱,量子阱上设有P型氮化镓层;其特征是所述P型氮化镓层上设有第一反射层,所述N型氮化镓层的端部刻蚀形成台阶,在台阶上设有第二反射层;所述第一反射层和P型氮化镓层上设有透明导电层,透明导电层覆盖于P型氮化镓层上,并与P型氮化镓层电连接;在所述透明导电层上淀积钝化层,钝化层覆盖于透明导电层上,并包覆透明导电层下方的P型氮化镓层、N型氮化镓层和量子阱;在所述钝化层上设有第一接触孔和第二接触孔,第一接触孔的底部与第一反射层相接触,第二接触孔的底部与第二反射层和N型氮化镓层相接触;所述P电极填充于第一接触孔内,P电极与透明导电层等电位连接;所述N电极填充于第二接触孔内,N电极与N型氮化镓层电连接。所述第一反射层位于P电极的正下方,所述第二反射层位于N电极的正下方。所述衬底为蓝宝石基板。所述钝化层的材料为二氧化硅或氮化硅。所述透明导电层的材料为单层金属、多层金属、单层金属氧化物或多层金属氧化物。所述第一反射层和第二反射层的厚度为2000埃 20000埃。本技术在P电极和N电极下方设有起到电 ...
【技术保护点】
一种发光二极管芯片结构,包括衬底(1)及位于衬底(1)上方的P电极(5)和N电极(6),衬底(1)上淀积N型氮化镓层(2),N型氮化镓层(2)覆盖于衬底(1)上;在所述N型氮化镓层(2)上设有量子阱(3),量子阱(3)上设有P型氮化镓层(4);其特征是:所述P型氮化镓层(4)上设有第一反射层(7),所述N型氮化镓层(2)的端部刻蚀形成台阶(11),在台阶(11)上设有第二反射层(8);所述第一反射层(7)和P型氮化镓层(4)上设有透明导电层(9),透明导电层(9)覆盖于P型氮化镓层(4)上,并与P型氮化镓层(4)电连接;在所述透明导电层(9)上淀积钝化层(10),钝化层(10)覆盖于透明导电层(9)上,并包覆透明导电层(9)下方的P型氮化镓层(4)、N型氮化镓层(2)和量子阱(3);在所述钝化层(10)上设有第一接触孔(12)和第二接触孔(13),第一接触孔(12)的底部与第一反射层(7)相接触,第二接触孔(13)的底部与第二反射层(8)和N型氮化镓层(2)相接触;所述P电极(5)填充于第一接触孔(12)内,P电极(5)与透明导电层(9)等电位连接;所述N电极(6)填充于第二接触孔(1 ...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片结构,包括衬底(I)及位于衬底(I)上方的P电极(5)和N电极(6 ),衬底(I)上淀积N型氮化镓层(2 ),N型氮化镓层(2 )覆盖于衬底(I)上;在所述N型氮化镓层(2)上设有量子阱(3),量子阱(3)上设有P型氮化镓层(4);其特征是所述P型氮化镓层(4)上设有第一反射层(7),所述N型氮化镓层(2)的端部刻蚀形成台阶(11),在台阶(11)上设有第二反射层(8);所述第一反射层(7)和P型氮化镓层(4)上设有透明导电层(9),透明导电层(9)覆盖于P型氮化镓层(4)上,并与P型氮化镓层(4)电连接;在所述透明导电层(9)上淀积钝化层(10),钝化层(10)覆盖于透明导电层(9)上,并包覆透明导电层(9)下方的P型氮化镓层(4)、N型氮化镓层(2)和量子阱(3);在所述钝化层(10)上设有第一接触孔(12)和第二接触孔(13),第一接触孔(12)的底部与第一反射层(7)相...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜高云,张淋,邓群雄,许雪芳,
申请(专利权)人:江苏新广联科技股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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