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本实用新型涉及一种发光二极管芯片结构，包括衬底、P电极和N电极，衬底上淀积N型氮化镓层，在N型氮化镓层上设有量子阱，量子阱上设有P型氮化镓层；其特征是：所述P型氮化镓层上设有第一反射层，N型氮化镓层的端部刻蚀形成台阶，在台阶上设有第二反射层...
该专利属于江苏新广联科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏新广联科技股份有限公司授权不得商用。

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