发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开一种发光二极管，涉及发光二极管的设计和制造领域，用以利用反射层提高发光二极管的光线集中度。所述发光二极管包括：基板；半导体复合层，位于所述基板上；透明侧壁，位于所述半导体复合层的部分侧边；所述透明侧壁的外表面为倾斜状；以及反射层，位于所述透明侧壁的外表面上。这样，不仅可以通过反射层提高发光二极管的光线集中度，还可以通过透明侧壁的外表面的角度来控制反射层的倾斜角度，以方便制造。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

发光二极管
本技术涉及一种发光二极管，尤其涉及一种能够利用反射层提高光线集中度的发光二极管。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)是一种半导体组件。最初多用作指示灯、显示板等，随着白光LED的出现也被用作照明。发光二极管作为一种新型光源，具有效率高、寿命长、不易破损等传统光源无法与之比较的优点。若改变制造发光二极管时所采用的半导体材料的成分组成，可使发光二极管发出不同颜色的光，这一特点使得其应用更加广泛。目前，在很多领域更关注发光二极管的正面出光效果，故在发光二极管的背面 (即基板的下表面)设置反射膜，使得射向背面的反方向光可以在反射膜的作用下，由正面射出，从而可以在一定程度上增强正面出光效果。但由于出光还可能侧面射出，导致光线过于分散。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种发光二极管，用以利用反射层提高发光二极管的光线集中度。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案本技术提供了一种发光二极管，包括基板；半导体复合层，位于所述基板上；透明侧壁，位于所述半导体复合层的部分侧边；所述透明侧壁的外表面为倾斜状；以及反射层，位于所述透明侧壁的外表面上。根据上述构想，所述半导体复合层包括缓冲层；第一半导体层，位于所述缓冲层上；发光层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述发光层上。根据上述构想，所述半导体复合层的至少一侧具有底切结构；所述透明侧壁填满所述底切结构。根据上述构想，所述底切结构位于所述缓冲层及所述第一半导体层的两侧。根据上述构想，所述底切结构位于所述发光层及所述第二半导体层的两侧。根据上述构想，所述底切结构包括第一底切结构，位于所述缓冲层及所述第一半导体层的两侧；第二底切结构，位于所述发光层及所述第二半导体层的两侧。根据上述构想，所述透明侧壁的外表面与所述基板垂线的夹角大于5度。根据上述构想，所述半导体复合层的部分侧边的形状为平面，或不规则形状的面。本技术实施例提供的发光二极管，首先在其侧面增设反射层，这样射向侧面的光会在反射层的作用下，也由正面射出，从而可以能够提高发光二极管的光线集中度 ’另外在半导体复合层的侧边增设透明侧壁，这样就可以通过控制透明侧壁的外表面的角度来控制反射层的倾斜角度，而无需依赖对半导体复合层的蚀刻去实现对反射层倾斜角度的控制，从而方便制造。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种发光二极管的截面示意图；图2为本技术实施例提供的另一种发光二极管的截面示意图；图3为本技术实施例提供的又一种发光二极管的截面示意图；图4为本技术实施例提供的又一种发光二极管的截面示意图；图5-图14为实施例一提供的发光二极管的制造过程中的截面示意图；图15-17为实施例二提供的发光二极管的制造过程中的截面示意图。附图标记101-基板；102_半导体复合层，1020-缓冲层，1021-第一半导体层，1022-发光层，1023-第二半 导体层；103_第一电极；104_第二电极；105_透明导电层；106a、106b_透明侧壁;107a、107b-反射层；108-反射膜；201-第一底切结构，202-第二底切结构；301-表面保护层；302_透明层；303_反射薄膜。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1-图4所示，本技术提供了一种发光二极管，包括基板101 ;该基板101 用于承载发光二极管的层结构，其材质可以是蓝宝石。发光二极管的层结构主要是指半导体复合层102，该半导体复合层102作为发光二极管能够发光的关键部分，其主要由P型半导体层、N型半导体层、以及两半导体层之间的发光层组成。在电场的作用下，P型半导体层中的空穴能够与N型半导体层中的电子结合，并在发光层处产生光子。在本技术实施例中，按照发光二极管制程中的顺序，将P型半导体层、N型半导体层中在先制作的称为第一半导体层，在后制作的称为第二半导体层；即，半导体复合层 102包括第一半导体层1021,位于所述第一半导体层上的发光层1022,以及位于所述发光层之上的第二半导体层1023。其中，发光层1022可以是MQW(Mult1-Quantum-well，多量子阱)层，第一半导体层1021和第二半导体层分别为P型半导体层和N型半导体层，但在本实施例中并不对P型半导体层和N型半导体层形成的先后次序做限定。为了解决第一半导体层1021在基板101上不易生长的问题，所述半导体复合层 102还包括缓冲层1020，所述第一半导体层1021位于所述缓冲层1020上；也就是说，在形成第一半导体层1021之前，先在基板101上生长缓冲层1020。另外，发光二极管的层结构还包含有其他部分，例如，为了与外电路连接，发光二极管的层结构还包括第一电极103和第二电极104，其中第一电极103与所述第一半导体层1021电性连接，第二电极104与所述第二半导体层1023电性连接。又如，为了使得电能得到扩展，发光二极管的层结构还包括透明导电层(Transparent Conductive Layer, TCL)105。再者，为了避免发出的光线从背面射出，故在基板101的下表面还设置有反射膜 108。基于上述介绍的发光二极管的结构，在本技术实施例中，发光二极管还包括位于所述半导体复合层102的部分侧边的透明侧壁106a (或106b)，以及位于所述透明侧壁 106a(或106b)的外表面上的反射层107a(或107b)。示例的，在缓冲层1020及第一半导体层1021的两侧设置透明侧壁106b，且在发光层1022及第二半导体层1023的两侧设置透明侧壁106a。由于反射层107a(或107b)的内表面起反射的作用，故需要使反射层107a(或 107b)的内表面呈倾斜状，这样便于光线经反射后射出；又由于反射层107a(或107b)的内表面与透明侧壁106a(或106b)的外表面相贴合，故透明侧壁106的外表面必须呈倾斜状。 透明侧壁106a(或106b)的外表面呈倾斜状的含义是指透明侧壁106a(或106b)的外表面与基板垂线的夹角Θ为O度-90度之间，且不包含边界值。进一步的，所述透明侧壁106a(或106b)的外表面与所述基板垂线的夹角Θ大于 5度，即，反射层107a (或107b)的内表面与所述基板垂线的夹角大于5度，以保证光取出的效果。需要说明的是，参考附图1-4，半导体复合层102的侧边可以按照是否有间断分为四部分，优选的是在每一部分侧边处均设置一透明侧壁，这样便于将所有射向侧面的光反射，本技术的附图以该优选方案为例；当然，也可以根据实际需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，包括：基板；半导体复合层，位于所述基板上；透明侧壁，位于所述半导体复合层的部分侧边；所述透明侧壁的外表面为倾斜状；以及反射层，位于所述透明侧壁的外表面上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙谢阳，金峰，
申请(专利权)人：西安华新联合科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：