水平式发光二极管制造技术

一种水平式发光二极管，包括一基板、一第一半导体层、一发光层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极。第一半导体层位于基板上。发光层位于第一半导体层上且露出部分第一半导体层。第二半导体层位于发光层上。第一电极位于露出部分的第一半导体层上。第二电极位于第二半导体层上。第一电极与第二电极的上表面具有实质上相同的水平高度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于ー种半导体发光元件，且特别是有关于ー种具有相同水平高度的电极的水平式发光二极管。
技术介绍
发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)主要是通过电能转化为光能的方式发光。传统的水平式发光二极管包括一依序由第一半导体层、发光层以及第ニ半导体层堆迭所形成的平台状外延堆迭结构，以及分别配置于第一半导体层上的第一电极与第二半导体层上的第二电极。当提供电能至发光二极管的第一电极与第二电极时，电流通过外延堆迭结构，且外延堆迭结构内的电子与空穴结合后释放能量，并以光的形式发出。 然而，当进行发光二极管的封装吋，因为平台状外延堆迭结构的顶面与底面具有高低差的关系，使得位于顶面(第二半导体层)的第二电极与位于底面(第一半导体层)的第一电极会因影像辨识不佳的结果而使得影像显示出不同灰阶颜色的色差，造成封装机台无法根据影像对发光二极管进行打线エ艺。也就是说，当水平式发光二极管的第一电极与第二电极的高度有明显落差时，会造成后续封装时影像辨识结果产生色差的问题，进而影响封装作业的进行，有待改善。
技术实现思路
本技术有关于ー种水平式发光二极管，经由增加位于第一半导体层上的第一电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种水平式发光二极管，包括：一基板；一第一半导体层，位于该基板上；一发光层，位于该第一半导体层上且露出部分该第一半导体层；一第二半导体层，位于该发光层上；一第一电极，位于该露出部分的该第一半导体层上；以及一第二电极，位于该第二半导体层上，其中该第一电极与该第二电极的上表面具有相同的水平高度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓炜，孙谢阳，
申请(专利权)人：西安华新联合科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：