水平式发光二极管制造技术

一种水平式发光二极管，包括一基板、一第一半导体层、一发光层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极。第一半导体层位于基板上。发光层位于第一半导体层上且露出部分第一半导体层。第二半导体层位于发光层上。第一电极位于露出部分的第一半导体层上。第二电极位于第二半导体层上。第一电极与第二电极的上表面具有实质上相同的水平高度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于ー种半导体发光元件，且特别是有关于ー种具有相同水平高度的电极的水平式发光二极管。
技术介绍
发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)主要是通过电能转化为光能的方式发光。传统的水平式发光二极管包括一依序由第一半导体层、发光层以及第ニ半导体层堆迭所形成的平台状外延堆迭结构，以及分别配置于第一半导体层上的第一电极与第二半导体层上的第二电极。当提供电能至发光二极管的第一电极与第二电极时，电流通过外延堆迭结构，且外延堆迭结构内的电子与空穴结合后释放能量，并以光的形式发出。 然而，当进行发光二极管的封装吋，因为平台状外延堆迭结构的顶面与底面具有高低差的关系，使得位于顶面(第二半导体层)的第二电极与位于底面(第一半导体层)的第一电极会因影像辨识不佳的结果而使得影像显示出不同灰阶颜色的色差，造成封装机台无法根据影像对发光二极管进行打线エ艺。也就是说，当水平式发光二极管的第一电极与第二电极的高度有明显落差时，会造成后续封装时影像辨识结果产生色差的问题，进而影响封装作业的进行，有待改善。
技术实现思路
本技术有关于ー种水平式发光二极管，经由增加位于第一半导体层上的第一电极的高度，使得第一电极与位于第二半导体层上的第二电极具有实质上相同的水平高度，以避免电极间的高度差而影响封装作业的进行。根据本技术的一方面，提出ー种水平式发光二极管，包括一基板、一第一半导体层、一发光层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极。第一半导体层位于基板上。发光层位于第一半导体层上且露出部分第一半导体层。第二半导体层位于发光层上。第一电极位于露出部分的第一半导体层上。第二电极位于第二半导体层上。第一电极与第二电极的上表面具有实质上相同的水平高度。为了对本技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。附图说明图IA及图IB分别绘示依照本技术一实施例的水平式发光二极管的结构示意图。图2A 2E分别绘示依照本技术一实施例的水平式发光二极管的制造过程的示意图。主要元件符号说明10 :水平式发光二极管100 :基板101 :底面102 :第一半导体层104 :发光层106 :第二半导体层107 :顶面108 :平台状外延堆迭结构110:介电层 115:开ロ122 :第一金属层123:第一电极124 :第二金属层125:第二电极126 :第三金属层128:第四金属层130 :光阻层131:第一开ロ132:第二开ロH1、H2、H3、H4、H5 :高度S1、S2:上表面具体实施方式本实施例揭露的水平式发光二极管，经由增加位于第一半导体层上的第一电极的高度，使得第一电极的上表面与位于第二半导体层上的第二电极的上表面具有实质上相同的水平高度。需说明的是，「实质上相同」的用语并非限制第一电极与第二电极的水平高度一定完全相同，亦可包含第一电极与第二电极的水平高度略微不同的情况，只要在容许的范围，且不影响封装作业的进行的情况下，封装机台可根据影像辨识的结果对发光二极管进行打线エ艺即可。以下提出实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并非用以限缩本技术欲保护的范围。图IA及图IB分别绘示依照本技术一实施例的水平式发光二极管的结构示意图。图2A 2E分别绘示依照本技术一实施例的水平式发光二极管的制造过程的示意图。请先參照图1A，水平式发光二极管10包括一基板100、一第一半导体层102、ー发光层104、一第二半导体层106、一第一电极123以及ー第二电极125。第一半导体层102位于基板100上。发光层104位于第一半导体层102上且露出部分第一半导体层102。第二半导体层106位于发光层104上。第一电极123位于露出部分的第一半导体层102上。第ニ电极125位于第二半导体层106上。也就是说,第一半导体层102、发光层104以及第二半导体层106依序堆迭并经由非等向性蚀刻而形成一平台状外延堆迭结构108，其具有一顶面107以及ー底面101,且底面101显露出部分第一半导体层102。第一电极123与第二电极125分别位于底面101与第二半导体层106上。于本实施例中，基板100可为硅基板、氮化镓基板、碳化硅基板、蓝宝石基板或以上述基板再进行图形化等加工的基板，但并不以此为限。第一半导体层102为N型半导体层而第二半导体层106为P型半导体层，但并不以此为限。于其他实施例中，第一半导体层102为P型半导体层而第二半导体层106为N型半导体层。第一半导体层102及ニ半导体层106是由ー III-V族化合物半导体材料所制成，III-V族化合物半导体材料例如可为氮化镓、氮化铟镓、神化镓或其组合。发光层104可以是III-V族ニ元素化合物半导体(例如是神化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN))、III-V族多元素化合物半导体(例如是神化铝镓(AlGaAs)、磷神化镓(GaAsP)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、神化铝铟镓(AlInGaAs))或II-VI族ニ元素化合物半导体(例如是硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、硒化锌(ZnSe))。第一电极123与第二电极125的材质可为金、招、银、铜、钼、铬、锡、镍、铬合金、镍合金、铜硅合金、铝铜硅合金、铝硅合金、金锡合金及其组合。第一电极123及第ニ电极125可各自为单层结构或多层结构。于本实施例中，第一电极123及第ニ电极125皆为多层结构，但并不以此为限，例如第IB图所示即为第一电极123及第ニ电极125皆为单层结构的示意图。第一电极123包含一第一金属层122、一第二金属层124、一第三金属层126以及一第四金属层128。第二电极125则包含第三金属126以及第四金属层128。第一金属层122与第三金属层124的材质可为铬、铬合金、镍、镍合金、锡或其组合,较佳为铬。第二金属层124与第四金属层128的材质可为金、招、银、铜、钼、铜娃合金、招铜娃合金、招娃合金、金锡合金及其组合，较佳为金。在一实施例中，平台状外延堆迭结构108的顶面107与底面101之间的高度差(即高度Hl)大约O. 5微米 5. O微米，而本实施例经由增加位于底面101上的第一电极123的第三金属层126及第四金属层128的高度H2，例如约为O. 02微米 7. O微米，以使第一电极123的高度H2至少大于高度Hl。在一实施例中，第一电极123垂直于底面101的高度H2约为第二电极125垂直于顶面107的高度H3与高度Hl的总和，以使第一电极123的上表面SI与第二电极125的上表面S2具有实质上相同的水平高度。以下介绍水平式发光二极管10的制造过程。请參照图2A，于基板100上依序形成第一半导体层102、发光层104以及第二半导体层106。接着，以非等向性蚀刻第一半导体层102、发光层104以及第二半导体层106，以形成平台状外延堆迭结构108于基板100上。常见的作法是以曝光显影的方式定义一光阻开ロ(未绘示)，再以感应耦合等离子体(Inductively coupled plasma, ICP)蚀刻位于光阻开口中的第二半导体层106,并向下蚀刻发光层104及第一半导体层102，直到露出部分第一半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种水平式发光二极管，包括：一基板；一第一半导体层，位于该基板上；一发光层，位于该第一半导体层上且露出部分该第一半导体层；一第二半导体层，位于该发光层上；一第一电极，位于该露出部分的该第一半导体层上；以及一第二电极，位于该第二半导体层上，其中该第一电极与该第二电极的上表面具有相同的水平高度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓炜，孙谢阳，
申请(专利权)人：西安华新联合科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：