一种半导体结构制造技术

技术编号:8182409 阅读:99 留言:0更新日期:2013-01-09 00:22
本申请公开了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的半导体鳍片,在所述半导体衬底和所述半导体鳍片之间还包括刻蚀停止层,所述半导体鳍片的侧壁方向接近或位于硅的{111}晶面,并且所述半导体衬底为{112}Si衬底。所述半导体鳍片具有良好的表面质量和减少的晶体缺陷,可用于制造FinFET。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹海洲骆志炯朱慧珑
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:
国别省市:

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