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本申请公开了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的半导体鳍片，在所述半导体衬底和所述半导体鳍片之间还包括刻蚀停止层，所述半导体鳍片的侧壁方向接近或位于硅的{111}晶面，并且所述半导体衬底为{112}Si衬底。所述...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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