一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有沟槽源极场板的TrenchMOSFET晶体管及其制备方法，所述晶体管下往上依次包括漏极（213）、衬底（200）、漂移区（201）及源极（212）；漂移区（201）设有若干深沟槽（202），深沟槽（202）内设有沟槽源极场板（204），沟槽源极场板（204）两侧的深沟槽（202）内设有厚氧化层（203），沟槽源极场板（204）两侧的厚氧化层（203）上各设有一个栅极（206），栅极（206）与深沟槽（202）的内壁之间设有栅极氧化层（205）。通过本发明专利技术，能增强晶体管的耐压能力，同时获得更快的开关速度、更小的损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体管领域，具体是。
技术介绍
沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(Trench M0SFET)是近几年迅速发展起来的新型功率器件，由于它比双极型功率器件具有许多优良性能如高输入阻抗，低驱动电流，没有少子存储效应，开关速度快，工作频率高，具有负的电流温度系数，并有良好的电流自调节能力，可有效地防止电流局部集中和热点的产生，电流分布均匀，容易通过并联方式增加电流容量，具有较强的功率处理能力，热稳定性好，安全工作区大，没有二次击穿等，已广泛应用于各种电子设备中，如高速开关电路，开关电源，不间断电源，高功率放大电路，高 保真音响电路，射频功放电路，电力转换电路，电机变频电路，电机驱动电路，固体继电器，控制电路与功率负载之间的接口电路等。沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(Trench M0SFET)采用硅片背面作为漏极，硅片上制造外延层，在外延层中挖沟槽，在沟槽中生长一层栅氧化层，然后再淀积多晶硅栅电极，在栅电极和源极之间有隔离层BPSG。在外延层中制备沟道体和源极。这种结构的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(Trench MOSFET)的缺点(以NMOS为例)在于，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有沟槽源极场板的Trench？MOSFET晶体管，其特征在于：从下往上依次包括漏极（213）、衬底（200）、漂移区（201）及源极（212）；所述漂移区（201）设有若干深沟槽（202），深沟槽（202）内设有沟槽源极场板（204），所述沟槽源极场板（204）两侧的深沟槽（202）内设有厚氧化层（203），沟槽源极场板（204）两侧的厚氧化层（203）上各设有一个栅极（206），栅极（206）与深沟槽（202）的内壁之间设有栅极氧化层（205）；所述相邻深沟槽（202）之间设有体区（207），所述体区（207）的上方设有两个源区（208）和一个欧姆接触区（211），两个源区（208）分...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新，朱怀宇，
申请(专利权)人：成都瑞芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：