【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及功率半导体器件的单元结构、器件结构和制造过程。更具体地，本专利技术涉及在终端区具有悬浮的沟槽栅的沟槽式金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的新型改良的单元结构，器件结构及其改良的制造过程，其具有较高的击穿电压、较低的栅漏电荷Qgd和较低的制造成本。本申请案要求对于2011年06月27日提交的美国专利申请第13/169，314号的优先权，该专利申请披露的内容通过全文引用而结合与本文中。
技术介绍
现有技术中在终端区具有悬浮的沟槽栅的典型沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET，下同)结构中存在一些技术问题。例如，在美国专利6，462，376中，如图IA所示，公开了一种沟槽式M0SFET，其在终端区具有多个悬浮的沟槽栅和η+源区。在终端区，该多个η+源区120位于两个相邻的悬浮的沟槽栅111之间。这种结构会导致在漏区和源区之间产生大的泄漏电流，因为在终端区的沟道区很容易被开启，由于在漏/源反向偏置的情况下多个具有悬浮电压的P体区108和悬浮的沟槽栅111没有和η+源区短接在一起。电流会从漏区通过终端区中两个相邻的悬浮的沟槽式111之间的...
【技术保护点】
一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管，包括位于有源区的多个晶体管单元和位于终端区的多个悬浮的沟槽栅，还包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，其位于所述衬底之上，且所述外延层的多数载流子浓度低于所述衬底；第一导电类型的源区，位于有源区，且靠近所述外延层的上表面，所述源区的多数载流子浓度大于所述外延层；第二导电类型的第一体区，位于有源区中所述外延层中，且位于所述源区下方；第二导电类型的第二体区，位于所述外延层中，且包围所述有源区的外围，所述第二体区上方不存在所述源区；第一沟槽栅，位于所述有源区，被所述源区和所述第一体区包围；至少一个第二沟槽栅，用于栅极连接，其被所述第二...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：谢福渊，
申请(专利权)人：力士科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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