温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种包括具有多个悬浮的沟槽环的终端区的沟槽式金属氧化物半导体场效应管。根据本发明的多个悬浮的沟槽环的深度等于或大于位于有源区的体区的结深。根据本发明的沟槽式金属氧化物半导体场效应管还包括一个等势环，其位于终端区且包围所述的多个悬...
该专利属于力士科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力士科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。