一种沟槽式栅极场效晶体管，包含具有磊晶层的磊晶积层结构、多个沟槽、设置于所述沟槽内的多个栅极电极单元、多个源极电极单元、多个绝缘单元、位于所述磊晶层的多个井区、多个源极，及供对外电连接的接触电极单元。每一沟槽具有第一区、颈缩区，及宽度小...

一种功率半导体组件，包括导电片、金氧半导体芯片、封装层、至少一第一导电插塞与汲极接触垫。其中，导电片具有芯片放置区与周围区，周围区是连接芯片放置区。金氧半导体芯片是放置于芯片放置区。此金氧半导体芯片包括闸极区、源极区与汲极区，闸极区与源...

一种金氧半导体组件，包括重掺杂基板、外延层、开口、复数个金氧半导体单元与金属图案层。外延层是形成于重掺杂基板上。开口是定义于外延层内，以裸露重掺杂基板。这些金氧半导体单元是形成于外延层上。金属图案层包括源极金属图案、闸极金属图案与汲极金...

本发明提供一种屏蔽栅极式金氧半场效应晶体管及其制造方法，其中的制造方法包含下列步骤：形成具有沟渠的半导体衬底；以氧化方式形成牺牲氧化层于沟渠内，牺牲氧化层至少覆盖沟渠的侧壁；形成源极多晶硅区于沟渠内；以氧化方式形成绝缘氧化层在源极多晶硅...

本发明公开一种超结沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，一种具有短终端区长度的超结沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其中，所述的终端区还包括一个沟道阻止区，其靠近外延层的上表面，有一个沟槽式终端接触区穿过该沟道组织区并延伸入所述的外延层。

本发明公开一种具有自对准特点的沟槽金属氧化物半导体场效应管，可以在节省掩模版的同时，降低开启电阻。根据本发明的沟槽金属氧化物半导体场效应管包括一个介电质侧墙，包围沟槽式源体接触区的上部分，可以降低开启电阻并改善雪崩特性。

本发明公开了一种用于高压器件的超结沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管。在该超结沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的每个单元中，超结结构包括第一导电类型的第一柱状掺杂区，其位于一对第二导电类型的第二柱状掺杂区之间，该第二柱状掺杂区邻近一对...

本发明公开一种由以下步骤制得的沟槽金属氧化物半导体场效应管：在外延层的上表面淀积形成接触绝缘层；提供接触掩模版并刻蚀所述的接触绝缘层形成接触孔洞；在接触孔洞上方对所述外延层进行有角度的源区掺杂剂的离子注入并经过离子扩散形成源区。根据本发...

本发明公开一种高压的超结沟槽金属氧化物半导体场效应管的结构及其制造方法，根据本发明的结构，在每个单元内都包括一个第一导电类型的第一柱状掺杂区和一对第二导电类型的第二柱状掺杂区，还包括至少一个栅沟槽和多个沟槽式源体接触区。本发明采用了RS...

本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管，包括位于终端区的多个悬浮的沟槽栅，其沟槽深度大于或者等于位于有源区的体区的结深。该沟槽式金属氧化物半导体场效应管还包括至少一个沟道阻止沟槽栅，其围绕在所述的悬浮的沟槽栅的外围并连接到至少一...

本发明公开了一种具有减小表面电场阶梯氧化物和分裂栅极结构的超级结沟槽式金属氧化物半导体场效应管。本发明结构可以通过调整一个厚氧化层的厚度来减轻电荷不平衡，陷阱电荷等问题的影响，更好地优化器件性能和提高制造能力。此外，本发明公布了一种超级...

本发明公开了一种包括具有多个悬浮的沟槽环的终端区的沟槽式金属氧化物半导体场效应管。根据本发明的多个悬浮的沟槽环的深度等于或大于位于有源区的体区的结深。根据本发明的沟槽式金属氧化物半导体场效应管还包括一个等势环，其位于终端区且包围所述的多...

本发明公开了一种具有超高单元密度的沟槽金属氧化物半导体场效应管的结构及其制作方法，其中源区和体区被分别置于器件的不同区域，从而有效减小了器件的尺寸。此外，本发明的沟槽金属氧化物采用了带状的单元结构，进一步增加了单元封装密度，减小了漏极与...

本发明公开了一种改进的半导体功率器件的布局设计，在同一个器件中，横向栅沟槽和纵向栅沟槽在一个或两个方向上交替分布，这种结构有利于平衡产生于一个方向的张力。此外，本发明还包括栅连接沟槽用于连接纵向沟槽和/或横向沟槽，当栅沟槽的长度较大时，...

本发明公开了一种包含位于同一衬底上的多个沟槽金属氧化物半导体场效应管和多个沟槽肖特基整流器的半导体集成电路的结构及其制造方法。该多个沟槽金属氧化物半导体场效应管具有沟槽式源体接触区，该多个沟槽肖特基整流器具有沟槽式阳极接触区。采用本发明...

本发明公开了一种包括多个沟槽金属氧化物半导体场效应管单元和多个沟槽肖特基镇流器单元的半导体集成器件及其制造方法。在沟槽金属氧化物半导体场效应管单元，采用沟槽式接触区，可以实现在减小器件尺寸的同时降低器件的开启电阻。

本发明公开了一种沟槽金属氧化物半导体场效应管器件，该器件包括多个由沟槽栅围绕的封闭的沟槽金属氧化物半导体场效应管单元，形成有源区内正方形或者矩形的封闭单元结构。并且在器件的终端区，包括多个具有悬浮电压的沟槽环以提高器件的击穿电压。

本发明公开了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件，拥有p+型的发射区-基区接触掺杂区，该掺杂区位于P型基区内，且至少包围所述发射区-基区接触沟槽的下部分，该发射区-基区接触掺杂区内多数载流子浓度高于P型基区，且与沟槽栅附近的沟道区...