本发明公开了一种功率半导体器件，该功率半导体器件在有源区的边缘处存在哑元区，经UIS测试后，坏点的出现无规律性，且随机分布于该功率半导体器件的有源区内，这说明引入哑元区后有效地增强了功率半导体器件的雪崩特性。

本发明公开了一种沟槽MOSFET结构及其制造方法。该结构增大了体接触区与源体接触区底部及侧壁的接触面积，增强了器件的雪崩击穿特性。另外，采用较宽的金属插塞实现和源极金属的电气接触，降低了接触电阻。

本发明公开了一种改进的沟槽金属氧化物半导体场效应管的结构，本发明有效地避免了现有技术中存在的经过光刻曝光之后，沟槽不能被充分打开的技术困难，提高了沟槽金属氧化物半导体场效应管的成品率。

本发明公开了一种改进的超结沟槽金属氧化物半导体场效应管的结构及其制作方法，该器件有效地避免了现有技术中存在的电荷分布不平衡，陷阱电荷等问题对器件性能的影响，使器件拥有更好的工作特性。同时，有效的节约了器件的制作成本。

本发明公开了一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法。该沟槽金属氧化物半导体场效应管包括ＥＳＤ保护二极管，并在每个ＥＳＤ接触沟槽的下方，存在一个沟槽栅作为缓冲层，避免源极和栅极之间的短接。

本发明公开了一种沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法，根据本发明的沟槽金属氧化物半导体场效应管其外延层中沟槽栅的底部相对与沟槽栅的侧壁具有较厚的绝缘层。本发明的制造方法避免了现有技术中利用ＬＯＣＯＳ方法生长沟槽栅底部较厚绝缘层所产生的...

本发明公开了一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法。该结构中外延层中相邻的两个沟槽栅之间的台面顶部为重掺杂的接触区域。采用本发明的沟槽金属氧化物半导体场效应管能在提高器件单元密度的同时，有效避免雪崩击穿特性下降的问题。

本发明公开了一种具有台阶状沟槽栅和改进的源体接触性能的沟槽ＭＯＳＦＥＴ与其制造方法，与现有技术中的沟槽ＭＯＳＦＥＴ相比，根据本发明的沟槽ＭＯＳＦＥＴ，由于源体接触沟槽与体接触区之间的接触面积增大，因而具有较小的接触电阻和更好的接触性能。...

本发明公开了一种沟槽ＭＯＳＦＥＴ结构和制造方法。该结构中栅接触沟槽在沟槽栅中的深度小于源体接触沟槽在体区中的深度。采用本发明的沟槽ＭＯＳＦＥＴ能有效阻止由于栅接触沟槽的过刻蚀引起的栅－漏之间的短接。

本发明公开了一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法。终端区沟槽栅的深度大于或等于终端区中体区的结深，并且位于每两个相邻的终端区沟槽栅之间的体区也具有悬空的电压，从而保证器件具有较高的击穿电压和较低的栅漏电荷。

本发明公开了一种沟槽ＭＯＳＦＥＴ结构与其制造方法，与现有技术中沟槽ＭＯＳＦＥＴ源区的形成方法不同，该结构的源区是由在源体接触沟槽的开口处进行源区多数载流子的离子注入和扩散形成，使得源区多数载流子的浓度分布沿外延层表面方向从源体接触沟槽向...

本发明公开了一种沟槽ＭＯＳＦＥＴ结构与其制造方法，与现有技术中沟槽ＭＯＳＦＥＴ源区的形成方法不同，该结构的源区是由在源体接触沟槽的开口处进行源区多数载流子的离子注入和扩散形成，使得源区多数载流子的浓度分布沿外延层表面方向从源体接触沟槽向...

本发明公开了一种具有浅沟槽结构的沟槽ＭＯＳＦＥＴ与其制造方法，与现有技术中的沟槽ＭＯＳＦＥＴ相比，根据本发明的具有浅沟槽结构的沟槽ＭＯＳＦＥＴ具有更小的栅电荷和更小的源漏电阻，同时，维持了器件所要求的击穿电压。在一些优选的实施例中，与栅...

一种沟槽式金氧半晶体管结构及其制程，其结构包括一基板顶端具有一磊晶层且具有复数个沟槽，该磊晶层顶端部具有复数个主体区，该磊晶层顶端面具有一绝缘层，该绝缘层顶端形成一第二金属阻障层，该第二金属阻障层顶端形成一铜金属层，该些主体区顶端部分别...